MF4-FКОМПЛЕКТ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
MC14066BD	(G) (SMD) SO14	MOTOROLA
MC14066BD	(G) (SMD) SO14	ON SEMICONDUCTOR	26	37.80
MC14066BD	(G) (SMD) SO14	MOTOROLA
MC14066BD	(G) (SMD) SO14	ON SEMICONDUCTOR
MC14066BD	(G) (SMD) SO14		5	41.58
MC14066BD	(G) (SMD) SO14	ONS
MC14066BD	(G) (SMD) SO14	1
MF-4MRA		BM
MF-4MRA		TYCO
MF-4MRA
MF-4MRA		KLS
MF-4MRA		NLT
MF-4MRA		КИТАЙ
MF-4MRA		BB
MF20-MКОМПЛЕКТ		HSUAN MAO
MF4-MКОМПЛЕКТ		HSUAN MAO
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...		920	32.02
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМНИЙ	800	24.57
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ТРАНЗИСТОР
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	БРЯНСК	3 152	39.90
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	МИНСК
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	RUS
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ИНТЕГРАЛ
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМН
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ЭЛЬТАВ	3 399	16.80