Версия для печати
Технические характеристики IRF610

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	140pF @ 25V
Power - Max	36W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	FAIR
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	DC COMPONENTS	38 344	2.63
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NXP	1 504	2.12
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ST MICROELECTRONICS
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	UTC
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD	119
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	FAIRCHILD	1 733
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	PHILIPS	4
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SAMSUNG
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SILICONIX	98
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ZETEX	336
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NXP	395
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SILICON POWER	124
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	POWERSILICON INCORPORATED	122
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	GALAXY	430	2.94
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ST MICROELECTRONICS SEMI	2
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт		52 036	1.56  >100 шт.   0.78
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	FAIRCHILD	32	2.12
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	FSC
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	PANJIT
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NEXPERIA
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ONS
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ONS-FAIR
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ON SEMICONDUCTOR	800	12.49
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	PHILIPS	80	12.49
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	GALAXY ME
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	NEXPERIA	108
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	LRC
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	HOTTECH	7	2.12
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	KLS	8 064	1.97
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	LGE	4	2.15
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	YJ	325 396	1.78  >100 шт.   0.89
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	YANGJIE	20	1.72
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	YANGJIE (YJ)
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	DIODES
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	KOME
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	DIOTEC	68 789	2.49
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	JANGJIE
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	YOUTAI	39 660	1.74  >100 шт.   0.87
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	ASEMI
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	UMW-YOUTAI
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	CJ
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	UWM	64	1.32
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SUNTAN	8 560	1.42  >100 шт.   0.71
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SHIKUES
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	KUU	47 072	1.58  >100 шт.   0.79
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	JSCJ	133 023	1.70  >100 шт.   0.85
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	SLKOR	740	1.52
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	YANGZHOU YANGJIE
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	KLS ELECTRONIC	57	2.48
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	MERRYELC	39 596	1.11
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	1980
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	40
		2N7002		Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт	KEEN SIDE	70 440	1.40  >100 шт.   0.70
		BT136-600D		Симистор	NXP
		BT136-600D		Симистор	PHILIPS	80	45.29
		BT136-600D		Симистор		480	18.45
		BT136-600D		Симистор	NXP
		BT136-600D		Симистор	PHILIPS SEMIC
		BT136-600D		Симистор	ФИЛИППИНЫ
		BT136-600D		Симистор	NEX-NXP	6 400	31.00
		MC14066BD		(G) (SMD) SO14	MOTOROLA
		MC14066BD		(G) (SMD) SO14	ON SEMICONDUCTOR	26	41.38
		MC14066BD		(G) (SMD) SO14	MOTOROLA
		MC14066BD		(G) (SMD) SO14	ON SEMICONDUCTOR
		MC14066BD		(G) (SMD) SO14		4	41.58
		MC14066BD		(G) (SMD) SO14	ONS
		MC14066BD		(G) (SMD) SO14	1
		RC0805JR-072K2L			YAGEO	261 035	0.55  >1000 шт.   0.11
		RC0805JR-072K2L			PHYCOMP
		RC0805JR-072K2L			PHYCOMP	3 076
		RC0805JR-072K2L			YAGEO	46 153
		RC0805JR-072K2L
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...		708	32.02
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМНИЙ	52	26.55
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ТРАНЗИСТОР
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	БРЯНСК	3 152	40.28
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	МИНСК
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	RUS
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМН
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ЭЛЬТАВ	3 391	16.96
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	3940
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	4249

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"