IRF610


Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W

Купить IRF610 ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRF610
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IRF610 (MOTOROLA.) 6 3-4 недели
Цена по запросу
IRF610 4 114.66 

Версия для печати

Технические характеристики IRF610

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5 Ohm @ 2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C3.3A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs8.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds140pF @ 25V
Power - Max36W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    2SJ103BL     TOS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    2SJ103BL       Заказ радиодеталей цена радиодетали
3296W-1-102 Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``     Заказ радиодеталей 36.00 
3296W-1-102 Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``   BARONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
3296W-1-102 Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``   Bourns Inc Заказ радиодеталей цена радиодетали
3296W-1-102 Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
3296W-1-102 Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``   BOURNS 132 цена радиодетали
3296W-1-102 Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``   BOURNS Заказ радиодеталей цена радиодетали
3296W-1-102 Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``   UNKNOWN Заказ радиодеталей цена радиодетали
3296W-1-102 Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``   BOCHEN 6 644 9.09 
  MC14066BD (G) (SMD) SO14   MOTOROLA Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MC14066BD (G) (SMD) SO14   ON SEMICONDUCTOR 26 37.80 
  MC14066BD (G) (SMD) SO14   MOTOROLA Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MC14066BD (G) (SMD) SO14   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MC14066BD (G) (SMD) SO14     5 41.58 
  MC14066BD (G) (SMD) SO14   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  MC14066BD (G) (SMD) SO14   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
    RC0805JR-072K2L     YAGEO 514 226 0.60 
>1000 шт.   0.12 
    RC0805JR-072K2L     PHYCOMP Заказ радиодеталей цена радиодетали
    RC0805JR-072K2L     PHYCOMP 3 076 цена радиодетали
    RC0805JR-072K2L     YAGEO 46 153 цена радиодетали
    RC0805JR-072K2L       Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...     1 141 32.02 
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...   КРЕМНИЙ 911 24.57 
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...   ТРАНЗИСТОР Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...   БРЯНСК 3 192 39.90 
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...   МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...   ИНТЕГРАЛ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...   КРЕМН Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ816В Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...   ЭЛЬТАВ 3 399 16.80 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход