IRF610
Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 140pF @ 25V |
| Power - Max | 36W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SK170 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40В, 0.02A, TO92) | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
2SK170 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40В, 0.02A, TO92) |
|
56.00 | ||
|
|
|
2SK170 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (40В, 0.02A, TO92) | TOS |
|
|
|
| 3296W-1-302 |
|
Подстроечный резистор 3K | BARONS |
|
|
|||
| 3296W-1-302 |
|
Подстроечный резистор 3K |
|
43.60 | ||||
| 3296W-1-302 |
|
Подстроечный резистор 3K | Bourns Inc |
|
|
|||
| 3296W-1-302 |
|
Подстроечный резистор 3K | КИТАЙ |
|
|
|||
|
|
HSMS-2802 | AVAGO |
|
|
||||
|
|
HSMS-2802 |
|
81.64 | |||||
|
|
HSMS-2802 | КИТАЙ |
|
|
||||
 |
PIC12F509-I/P |
|
1Kx12 Flash 6I/O 4MHz | MICRO CHIP | 551 | 161.22 | ||
|
|
PIC12F509-I/P |
|
1Kx12 Flash 6I/O 4MHz |
|
144.68 | |||
|
|
PIC12F509-I/P |
|
1Kx12 Flash 6I/O 4MHz | Microchip Technology |
|
|
||
|
|
PIC12F509-I/P |
|
1Kx12 Flash 6I/O 4MHz | MCHIP |
|
|
||
|
|
PIC12F509-I/P |
|
1Kx12 Flash 6I/O 4MHz | ТАИЛАНД |
|
|
||
|
|
PIC12F509-I/P |
|
1Kx12 Flash 6I/O 4MHz | 4-7 НЕДЕЛЬ | 205 |
|
||
| ПАЯЛЬНАЯ ПАСТА, 15Г |
|
110.80 |
