Версия для печати
Технические характеристики IRF610

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	140pF @ 25V
Power - Max	36W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SJ103BL			TOS
		2SJ103BL
		3296W-1-102		Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``			36.00
		3296W-1-102		Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``	BARONS
		3296W-1-102		Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``	Bourns Inc
		3296W-1-102		Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``	КИТАЙ
		3296W-1-102		Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``	BOURNS	132
		3296W-1-102		Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``	BOURNS
		3296W-1-102		Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``	UNKNOWN
		3296W-1-102		Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``	BOCHEN	5 139	12.26
		BT136-600D		Симистор	NXP
		BT136-600D		Симистор	PHILIPS	80	45.29
		BT136-600D		Симистор		400	16.13
		BT136-600D		Симистор	NXP
		BT136-600D		Симистор	PHILIPS SEMIC
		BT136-600D		Симистор	ФИЛИППИНЫ
		BT136-600D		Симистор	NEX-NXP	6 320	24.80
		MC14066BD		(G) (SMD) SO14	MOTOROLA
		MC14066BD		(G) (SMD) SO14	ON SEMICONDUCTOR	26	41.38
		MC14066BD		(G) (SMD) SO14	MOTOROLA
		MC14066BD		(G) (SMD) SO14	ON SEMICONDUCTOR
		MC14066BD		(G) (SMD) SO14		4	41.58
		MC14066BD		(G) (SMD) SO14	ONS
		MC14066BD		(G) (SMD) SO14	1
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...		96	25.76
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМНИЙ	52	26.55
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ТРАНЗИСТОР
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	БРЯНСК	3 152	34.01
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	МИНСК
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	RUS
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМН
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ЭЛЬТАВ	3 280	14.32
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	3940
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	4249

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"