|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3296W-1-103 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
3296W-1-103 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3296W-1-103 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3296W-1-103 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``
|
|
|
32.00
|
|
|
|
3296W-1-103 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3296W-1-103 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3296W-1-103 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3296W-1-103 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
3296W-1-103 |
|
Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``
|
BOCHEN
|
28 336
|
8.70
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
NXP
|
440
|
|
|
|
|
BCP51 |
|
|
JSCJ
|
5 849
|
3.69
|
|
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт
|
|
320
|
10.00
|
|
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт
|
VISHAY
|
7 741
|
|
|
|
|
CRCW080510K0FKEA |
|
Резистор -чип 0805, 10кОм, 1%, 0,125 Вт
|
Vishay/Dale
|
|
|
|
|
|
ECAP 47/50V 0611 105C SJ |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ 50 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
IRF9610 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF9610 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF9610 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C)
|
|
|
64.36
|
|
|
|
IRF9610 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF9610 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF9610 |
|
P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C)
|
VISHAY/IR
|
|
|
|