Версия для печати
Технические характеристики IRF610

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	140pF @ 25V
Power - Max	36W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		3296W-1-103		Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``	CHINA
		3296W-1-103		Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``	BOURNS
		3296W-1-103		Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``	BARONS
		3296W-1-103		Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``			32.00
		3296W-1-103		Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``	BOURNS
		3296W-1-103		Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``	Bourns Inc
		3296W-1-103		Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``	КИТАЙ
		3296W-1-103		Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``	SUNTAN
		3296W-1-103		Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 10 кОм 3/8``	BOCHEN	32 017	7.44
		BCP51
		BCP51			FAIRCHILD
		BCP51			Fairchild Semiconductor
		BCP51			NXP
		BCP51			NXP	440
		BCP51			JSCJ	4 093	5.77
		ECAP 47/50V 0611 105C SJ		Электролитический алюминиевый конденсатор 47 мкФ 50 В	YAGEO
		IRF9610		P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF9610		P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C)	VISHAY
		IRF9610		P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C)			64.36
		IRF9610		P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C)	Vishay/Siliconix
		IRF9610		P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C)	КИТАЙ
		IRF9610		P-канальный полевой транзистор (Vds=200V, Id=1.8A@T=25C, Id=1.0A@T=100C)	VISHAY/IR
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD	ON SEMICONDUCTOR
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD			3.56
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD	ONS
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD	ON SEMICONDUCTOR	5 858
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD	ON SEMICONDUCTO
		MMBT2907ALT1G		Полевой транзистор SMD	ONSEMICONDUCTOR

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"