Версия для печати
Технические характеристики IRF610

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	140pF @ 25V
Power - Max	36W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SJ103BL			TOS
		2SJ103BL
		3296W-1-102		Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``			36.00
		3296W-1-102		Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``	BARONS
		3296W-1-102		Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``	Bourns Inc
		3296W-1-102		Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``	КИТАЙ
		3296W-1-102		Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``	BOURNS	132
		3296W-1-102		Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``	BOURNS
		3296W-1-102		Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``	UNKNOWN
		3296W-1-102		Подстроечный резистор, многооборотный, винт сверху, 1 кОм 3/8``	BOCHEN	4 497	6.82
		MC14066BD		(G) (SMD) SO14	MOTOROLA
		MC14066BD		(G) (SMD) SO14	ON SEMICONDUCTOR	26	37.80
		MC14066BD		(G) (SMD) SO14	MOTOROLA
		MC14066BD		(G) (SMD) SO14	ON SEMICONDUCTOR
		MC14066BD		(G) (SMD) SO14		5	41.58
		MC14066BD		(G) (SMD) SO14	ONS
		MC14066BD		(G) (SMD) SO14	1
		RC0805JR-072K2L			YAGEO	420 327	1.00  >1000 шт.   0.20
		RC0805JR-072K2L			PHYCOMP
		RC0805JR-072K2L			PHYCOMP	3 076
		RC0805JR-072K2L			YAGEO	46 153
		RC0805JR-072K2L
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...		572	32.02
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМНИЙ	52	24.57
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ТРАНЗИСТОР
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	БРЯНСК	3 152	39.90
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	МИНСК
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	RUS
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМН
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ЭЛЬТАВ	3 399	16.80
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	3940
		КТ816В		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	4249

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"