Версия для печати
Технические характеристики IRF610

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	8.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	140pF @ 25V
Power - Max	36W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SK1058		Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W	SANYO
		2SK1058		Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W	RENESAS
		2SK1058		Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W	RENS
		2SK1058		Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W			409.64
		2SK1058		Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W	HITACHI
		2SK1058		Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W	Renesas Electronics America
		2SK1058		Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W	ТАИЛАНД
		2SK1058		Транзистор полевой N-MOS 160V, 7A, 100W	NO TRADEMARK
		INA10386		Высокочастотный усилитель	AGILENT TECHNOLOGIES
		INA10386		Высокочастотный усилитель	AVAGO
		INA10386		Высокочастотный усилитель			764.76
		INA10386		Высокочастотный усилитель	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		INA10386		Высокочастотный усилитель	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		INA10386		Высокочастотный усилитель	BROADCOM
		INA10386		Высокочастотный усилитель	4-7 НЕДЕЛЬ	530
		LM2931Z-5.0			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2931Z-5.0			ON SEMICONDUCTOR
		LM2931Z-5.0					47.20
		LM2931Z-5.0			NSC
		LM2931Z-5.0			ON SEMICONDUCTOR
		LM2931Z-5.0			ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
		LM2931Z-5.0			TEXAS
		LM2931Z-5.0			4-7 НЕДЕЛЬ	400
		RC1206FR-0730RL			YAGEO	53 859	0.63  >500 шт.   0.21
		RC1206FR-0730RL			YAGEO	32 727
		RC1206FR-0730RL
		ULN2003AN		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)	TEXAS INSTRUMENTS	7 668	31.80
		ULN2003AN		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)		2 538	20.34
		ULN2003AN		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)	TEXAS INSTR
		ULN2003AN		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)	TEXAS INSTRUMENTS
		ULN2003AN		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		ULN2003AN		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)	TEXAS
		ULN2003AN		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)	FSC
		ULN2003AN		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)	TEXAS INSTRUMEN
		ULN2003AN		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)	4-7 НЕДЕЛЬ	196
		ULN2003AN		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)	1000
		ULN2003AN		7 нижних ключей на составных транзисторах (вход- 5V TTL, CMOS:выход-50V, 0.5A:-20 to +85C)	8190

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"