MF4-MКОМПЛЕКТ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
HSMS-2802		AVAGO
HSMS-2802				81.64
HSMS-2802		КИТАЙ
MC14066BD	(G) (SMD) SO14	MOTOROLA
MC14066BD	(G) (SMD) SO14	ON SEMICONDUCTOR	26	37.80
MC14066BD	(G) (SMD) SO14	MOTOROLA
MC14066BD	(G) (SMD) SO14	ON SEMICONDUCTOR
MC14066BD	(G) (SMD) SO14		5	41.58
MC14066BD	(G) (SMD) SO14	ONS
MC14066BD	(G) (SMD) SO14	1
MF4-FКОМПЛЕКТ		HSUAN MAO
PIC12F509-I/P	1Kx12 Flash 6I/O 4MHz	MICRO CHIP	410	168.45
PIC12F509-I/P	1Kx12 Flash 6I/O 4MHz			144.68
PIC12F509-I/P	1Kx12 Flash 6I/O 4MHz	Microchip Technology
PIC12F509-I/P	1Kx12 Flash 6I/O 4MHz	MCHIP
PIC12F509-I/P	1Kx12 Flash 6I/O 4MHz	ТАИЛАНД
PIC12F509-I/P	1Kx12 Flash 6I/O 4MHz	4-7 НЕДЕЛЬ	205
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...		1 319	32.02
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМНИЙ	800	24.57
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ТРАНЗИСТОР
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	БРЯНСК	3 152	39.90
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	МИНСК
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	RUS
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ИНТЕГРАЛ
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	КРЕМН
КТ816В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный для ...	ЭЛЬТАВ	3 399	16.80