| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
IRG4PH50S |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
|
468.28
|
|
|
|
|
IRG4PH50S |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50S |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PSC71KD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PSC71KD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
|
1 233.20
|
|
|
|
|
IRG4PSC71KD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INFINEON
|
|
|
|
 |
|
IRG4PSC71UD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PSC71UD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, ...
|
|
|
1 165.08
|
|
|
|
|
IRG4PSC71UD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, ...
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PSC71UD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PSC71UD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PSC71UDPBF |
|
Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PSC71UDPBF |
|
Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, ...
|
INFINEON
|
16
|
3 223.44
|
|
|
|
|
IRG4PSC71UDPBF |
|
Транзистор IGBT модуль единичный (Vce=600V, Ic=85A@t=25C, Ic=60A@t=100C, ...
|
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PSH71K |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 78А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PSH71K |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В 78А
|
|
2
|
666.00
|
|
|
|
|
IRG4PSH71KD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PSH71KD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
|
1 405.64
|
|
|
|
|
IRG4PSH71KD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PSH71KD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PSH71U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный ультрабыстрое переключение 1200В, 99А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PSH71U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный ультрабыстрое переключение 1200В, 99А
|
|
|
891.32
|
|
|
|
|
IRG4PSH71U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный ультрабыстрое переключение 1200В, 99А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PSH71UPBF |
|
Транзистор IGBT модуль единичный ультрабыстрое переключение 1200В, 99А
|
International Rectifier
|
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
|
|
1 133.24
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
IR/VISHAY
|
13
|
871.20
|
|
|
|
|
SKW25N120 |
|
FastIGBT+D 1200v25A
|
INFINEON
|
16
|
1 865.82
|
|
|
|
|
SKW25N120 |
|
FastIGBT+D 1200v25A
|
|
|
1 120.00
|
|
|
|
|
SKW25N120 |
|
FastIGBT+D 1200v25A
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
|
SKW25N120 |
|
FastIGBT+D 1200v25A
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD |
|
SMPS IGBT (Vce=600V, Ic=75A@25C, Ic=45A@100C, Pc=370W@25C,TO-247AC,-55 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD |
|
SMPS IGBT (Vce=600V, Ic=75A@25C, Ic=45A@100C, Pc=370W@25C,TO-247AC,-55 to +150C)
|
|
|
1 380.00
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD |
|
SMPS IGBT (Vce=600V, Ic=75A@25C, Ic=45A@100C, Pc=370W@25C,TO-247AC,-55 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
|
|
500.00
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
HGTG20N60A4 |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
APT40GP90BG |
|
|
APT
|
|
|
|
|
|
|
APT40GP90BG |
|
|
Microsemi Power Products Group
|
|
|
|
|
|
|
APT40GP90BG |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
APT45GP120B2DQ2G |
|
|
APT
|
|
|
|
