IRG4BC30UD
Транзистор IGBT+D модуль единичный 600V, 23A, 100W (Ultrafast)
|
|
Версия для печати
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 12A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 23A |
| Power - Max | 100W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4BC30UD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) Insulated Gate Bipolar Transistor =12a)
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IR2131 |
|
Драйверы верхнего x3 и нижнего x3 ключей. Тс =700мс, Uсм=600В, Uвых=10/20В | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IR2131 |
|
Драйверы верхнего x3 и нижнего x3 ключей. Тс =700мс, Uсм=600В, Uвых=10/20В |
|
1 339.44 | ||
|
|
|
IR2131 |
|
Драйверы верхнего x3 и нижнего x3 ключей. Тс =700мс, Uсм=600В, Uвых=10/20В | 4-7 НЕДЕЛЬ | 441 |
|
|
| MC33153DG | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MC33153DG | FREESCALE |
|
|
|||||
| MC33153DG | ONS |
|
|
|||||
| MC33153DG |
|
126.64 | ||||||
| MC33153DG | ФИЛИППИНЫ |
|
|
|||||
| MC33153DG | 4-7 НЕДЕЛЬ | 574 |
|
|||||
| SG6842JLDZ | SGC |
|
|
|||||
| SG6842JLDZ |
|
|
||||||
| SG6842JLDZ | 4-7 НЕДЕЛЬ | 228 |
|
|||||
|
|
SSS10N60B |
|
Полевой транзистор | FAIR |
|
|
||
|
|
SSS10N60B |
|
Полевой транзистор |
|
104.68 | |||
|
|
SSS10N60B |
|
Полевой транзистор | ONS-FAIR | 2 | 66.21 | ||
| TIP41C NPN 100V 6A 65W H21=15…75 | MEV |
|
|
