| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
120ПР1 |
|
|
|
80
|
199.10
|
|
|
|
|
120ПР1 |
|
|
САРАТОВ
|
796
|
53.70
|
|
|
|
IR2130S |
|
Драйвер трехфазный мостовой. Uсм=600В, Iвых=0.2/0.4A, Uвых=10/20В, Tбл =3 мкс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2130S |
|
Драйвер трехфазный мостовой. Uсм=600В, Iвых=0.2/0.4A, Uвых=10/20В, Tбл =3 мкс
|
|
|
530.24
|
|
|
|
IR2130S |
|
Драйвер трехфазный мостовой. Uсм=600В, Iвых=0.2/0.4A, Uвых=10/20В, Tбл =3 мкс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2130S |
|
Драйвер трехфазный мостовой. Uсм=600В, Iвых=0.2/0.4A, Uвых=10/20В, Tбл =3 мкс
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IR2130S |
|
Драйвер трехфазный мостовой. Uсм=600В, Iвых=0.2/0.4A, Uвых=10/20В, Tбл =3 мкс
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2130S |
|
Драйвер трехфазный мостовой. Uсм=600В, Iвых=0.2/0.4A, Uвых=10/20В, Tбл =3 мкс
|
1
|
|
|
|
|
|
IR2130S |
|
Драйвер трехфазный мостовой. Uсм=600В, Iвых=0.2/0.4A, Uвых=10/20В, Tбл =3 мкс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
604
|
|
|
|
|
IR2156STR |
|
Балласт электронный и полумостовой драйвер.
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2156STR |
|
Балласт электронный и полумостовой драйвер.
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2156STR |
|
Балласт электронный и полумостовой драйвер.
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2156STR |
|
Балласт электронный и полумостовой драйвер.
|
|
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
|
1
|
216.72
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
ST MICROELECTRONICS
|
100
|
127.52
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
ONS
|
|
|
|
|
|
TIP147T |
|
Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А
|
1
|
|
|
|
|
|
КТ8101А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
|
103
|
222.00
|
|
|
|
КТ8101А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
60
|
218.62
|
|
|
|
КТ8101А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
155
|
223.75
|
|
|
|
КТ8101А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
КВАЗАР
|
|
|
|
|
|
КТ8101А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
БРРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ8101А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
20
|
|
|
|
|
|
КТ8101А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
264
|
|
|
|
|
|
КТ8101А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
3
|
|
|
|