IRG4PC30FD
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
Версия для печати
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 17A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 31A |
| Power - Max | 100W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4PC30FD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRG4PC40FD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IRG4PC40FD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | 1 | 351.50 | |||
|
|
IRG4PC40FD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INFINEON |
|
|
||
 |
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | 9 | 351.50 | ||
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | ФИЛИППИНЫ |
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | IR/VISHAY | 21 | 1 089.00 |
