IRG4BC30U
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
Версия для печати
| Power - Max | 100W |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 23A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 12A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4BC30U-SPBF Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
150EBU04 |
|
Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
150EBU04 |
|
Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс |
|
1 140.00 | ||
|
|
|
150EBU04 |
|
Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
150EBU04 |
|
Диод быстродействующий импульсный, 400В, 150А, 60нс | Vishay/Semiconductors |
|
|
|
| JVR20N241K11PU5 | JOYIN |
|
|
|||||
| SPB04N60C3 | INFINEON |
|
|
|||||
| SPB04N60C3 | Infineon Technologies |
|
|
|||||
| SPB04N60C3 |
|
|
||||||
| ЖКИ WH1601A-YGH-CTK | WINSTAR |
|
|
|||||
 |
КТ851Б | 37 | 11.04 | |||||
|
|
КТ851Б | КРЕМНИЙ | 80 | 81.98 | ||||
|
|
КТ851Б | БРЯНСК |
|
|
