IRG4PC30F
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
Версия для печати
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 17A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 31A |
| Power - Max | 100W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4PC30F (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (Vces=600V, Vce (on) typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRG4PC40F |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IRG4PC40F |
|
Транзистор IGBT модуль единичный |
|
344.12 | |||
|
|
IRG4PC40F |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INFINEON |
|
|
||
 |
К155ЛЕ1 |
|
Четыре логических элемента 2ИЛИ-НЕ, 201.14-1, 1г. | 3 | 45.36 | |||
|
|
К155ЛЕ1 |
|
Четыре логических элемента 2ИЛИ-НЕ, 201.14-1, 1г. | МИОН |
|
|
||
|
|
К155ЛЕ1 |
|
Четыре логических элемента 2ИЛИ-НЕ, 201.14-1, 1г. | ЭКСПОРТ |
|
|
||
|
|
К155ЛЕ1 |
|
Четыре логических элемента 2ИЛИ-НЕ, 201.14-1, 1г. | АЗОН |
|
|
||
| МЛТ-0.25 3 КОМ |
|
|
||||||
| МЛТ-0.25-1.5 КОМ 2% |
|
|
||||||
| МЛТ-2-20 КОМ 10% |
|
|
