| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
SENSITRON
|
|
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
400
|
35.91
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
|
32
|
22.20
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
SENSITRON
|
|
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
HOTTECH
|
10 836
|
13.79
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
1
|
|
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
SMCMICRO
|
1 052
|
20.00
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
LGE
|
3 279
|
13.36
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
KEENSIDE
|
5
|
5.51
|
|
|
|
|
IRF7341 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
19
|
67.20
|
|
|
|
|
IRF7341 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)
|
|
1 888
|
26.09
|
|
|
|
|
IRF7341 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF7341 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
IRF7341 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRF7341 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)
|
SLKOR
|
3
|
15.46
|
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
|
7 160
|
13.33
|
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
1 311
|
|
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
1
|
|
|
|
|
|
|
MJD44H11 |
|
Транзистор n-p-n 80V 8A 20W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MJD44H11 |
|
Транзистор n-p-n 80V 8A 20W
|
MOTOROLA
|
23
|
31.50
|
|
|
|
|
MJD44H11 |
|
Транзистор n-p-n 80V 8A 20W
|
|
|
|
|
|
|
|
MJD44H11 |
|
Транзистор n-p-n 80V 8A 20W
|
ONS
|
11
|
31.50
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
NXP
|
800
|
9.07
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
NXP
|
2 120
|
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
PHILIPS
|
2 464
|
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
YOUTAI
|
125 876
|
1.94
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
КИТАЙ
|
316
|
4.20
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
NEXPERIA
|
520
|
5.66
|
|
Версия для печати
