IRF640S

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
IRF640S (VISHAY)	4	94.50
IRF640S	1	112.14
IRF640S	1	112.14
IRF640S (INTERNATIONAL RECTIFIER)	181	94.50

Версия для печати

Технические характеристики IRF640S

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 11A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	70nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 25V
Power - Max	130W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF640S

N - Channel Mesh Overlay Mosfet

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

IRF640S datasheet
86.49Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
12.00 MHZ HC-49SM		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
12.00 MHZ HC-49SM		ТАЙВАНЬ
MJD44H11	Транзистор n-p-n 80V 8A 20W	ON SEMICONDUCTOR
MJD44H11	Транзистор n-p-n 80V 8A 20W	MOTOROLA	23	31.50
MJD44H11	Транзистор n-p-n 80V 8A 20W
MJD44H11	Транзистор n-p-n 80V 8A 20W	ONS	11	31.50
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ПРОЗР. 0.5М
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ПРОЗР. 0.5М		ПОЛЬША
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ПРОЗР. 0.5М		ГЕРМАНИЯ
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ЗЕЛ. 0.5М				36.08
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ЗЕЛ. 0.5М		ПОЛЬША
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ЗЕЛ. 0.5М		ГЕРМАНИЯ
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 ЗЕЛ. 0.5М				44.60
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 ЗЕЛ. 0.5М		ПОЛЬША
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 6.4 ЗЕЛ. 0.5М		ГЕРМАНИЯ