| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
SENSITRON
|
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
400
|
39.82
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
|
32
|
22.20
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
SENSITRON
|
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
1
|
|
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
SMCMICRO
|
252
|
24.30
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
LGE
|
472
|
13.31
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
KEENSIDE
|
2
|
4.39
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
KEEN SIDE
|
9 796
|
3.80
|
|
|
|
30BQ040 |
|
Диод Шоттки Vr=40V, Ifav=3A, Ifsm-25A,Vf=0.52
|
2160
|
|
|
|
|
|
IRF7341 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF7341 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)
|
|
1 888
|
23.21
|
|
|
|
IRF7341 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF7341 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRF7341 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF7341 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)
|
SLKOR
|
3 850
|
21.88
|
|
|
|
IRF7341 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)
|
24
|
|
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
|
5 760
|
13.56
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
1 311
|
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
1
|
|
|
|
|
|
MJD44H11 |
|
Транзистор n-p-n 80V 8A 20W
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJD44H11 |
|
Транзистор n-p-n 80V 8A 20W
|
MOTOROLA
|
23
|
31.80
|
|
|
|
MJD44H11 |
|
Транзистор n-p-n 80V 8A 20W
|
|
|
|
|
|
|
MJD44H11 |
|
Транзистор n-p-n 80V 8A 20W
|
ONS
|
11
|
31.80
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
NXP
|
800
|
10.15
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
NXP
|
2 120
|
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
PHILIPS
|
2 464
|
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
YOUTAI
|
63 635
|
1.64
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
КИТАЙ
|
2 004
|
4.24
|
|
|
|
|
PESD5V2S2UT |
|
|
NEXPERIA
|
|
|
|