IRF640S

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
IRF640S (VISHAY)	797	182.86
IRF640S	1	112.14
IRF640S	1	112.14
IRF640S (INTERNATIONAL RECTIFIER)	181	80.55

Версия для печати

Технические характеристики IRF640S

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 11A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	70nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 25V
Power - Max	130W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF640S

N - Channel Mesh Overlay Mosfet

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

IRF640S datasheet
86.49Kb
8стр.

Наименование	Производитель	Количество	Цена, руб.
74HC00AD (IN74HC00AD)	МИНСК
74HC00AD (IN74HC00AD)	ИНТЕГРАЛ	4	28.64
CM200S-32.768KHZ	CITIZEN
SDR1307-330KL	BOURNS	66	53.93
SDR1307-330KL
ОПЛЕТКА ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 8PK-031A (Ж)	PROSKIT
ОПЛЕТКА ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 8PK-031A (Ж)			180.00
ОПЛЕТКА ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 8PK-031A (Ж)	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
ОПЛЕТКА ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 8PK-031A (Ж)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
ОПЛЕТКА ДЛЯ УДАЛЕНИЯ ПРИПОЯ 8PK-031A (Ж)	PRO'SKIT
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ПРОЗР. 0.5М
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ПРОЗР. 0.5М	ПОЛЬША
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ПРОЗР. 0.5М	ГЕРМАНИЯ