IRF640S

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
IRF640S (VISHAY)	4	94.50
IRF640S	1	112.14
IRF640S	1	112.14
IRF640S (INTERNATIONAL RECTIFIER)	181	94.50

Версия для печати

Технические характеристики IRF640S

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 11A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	70nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 25V
Power - Max	130W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRF640S

N - Channel Mesh Overlay Mosfet

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

IRF640S datasheet
86.49Kb
8стр.

Наименование	Производитель	Количество	Цена, руб.
LP2981-50DBVR	TEXAS INSTRUMENTS	4 800	18.94
LP2981-50DBVR		2 436	20.05
LP2981-50DBVR	TEXAS
LP2981-50DBVR	4-7 НЕДЕЛЬ	312
NCP3020ADR2G	ON Semiconductor
NCP3020ADR2G	ONS	1	72.60
NCP3020ADR2G
NCP3020ADR2G	4-7 НЕДЕЛЬ	48
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 ЗЕЛ. 0.5М			30.76
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 ЗЕЛ. 0.5М	ПОЛЬША
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 ЗЕЛ. 0.5М	ГЕРМАНИЯ
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 СИН. 0.5М			30.76
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 СИН. 0.5М	ПОЛЬША
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 2.4 СИН. 0.5М	ГЕРМАНИЯ
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 СИН. 0.5М			33.84
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 СИН. 0.5М	ПОЛЬША
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 СИН. 0.5М	ГЕРМАНИЯ