MAX1703ESE

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
MAX1703ESE		922.12
MAX1703ESE (4-7 НЕДЕЛЬ)	168	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики MAX1703ESE

Корпус	16-SOIC
Корпус (размер)	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение входное	0.7 V ~ 5.5 V
Частота переключения	300kHz
Ток выходной	1.5A
Напряжение выходное	5V, 2.5 V ~ 5.5 V
Число выходов	1
Synchronous Rectifier	Да
Внутренняя коммутация	Да
Тип	Step-Up (Boost), PFM/PWM
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

MAX1703 (DC/DC преобразователи)

1-Cell to 3-Cell, High-Power (1.5A), Low-Noise, Step-Up DC-DC Converter

Также в этом файле: MAX1703ESE

Производитель:
Maxim Integrated Products
//www.maxim-ic.com

MAX1703ESE datasheet
274.69Kb
16стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	FAIR
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NXP	2 513	2.10
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	SIEMENS
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	DIC
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	DC COMPONENTS	13 579	1.44
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	DIOTEC	50 460	2.06
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	GALAXY
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	FAIRCHILD
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NXP	337
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	OTHER	1 165
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	PHILIPS	552
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	SIEMENS
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	Fairchild Semiconductor
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	КИТАЙ
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	INFINEON TECH
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	MCC
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)			3.00
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	INFINEON
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	INFINEON	59
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	ONS-FAIR
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	NEXPERIA	2 164	2.10
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	268	1.73
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	GALAXY ME	811	1.38
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	LRC
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	HOTTECH	304 880	1.62 >100 шт. 0.81
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	KLS
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	WUXI XUYANG
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	0.00
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	YJ	381 130	1.24 >100 шт. 0.62
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	JSCJ	41 280	1.64 >100 шт. 0.82
BAS16	Импульсный диод (Vr=80V, Vrrm=85V, If=250mA, Ifsm=4.5A, P=370mW, Ts=-65.150C)	SUNTAN	292	1.18
C8051F410-GQR		SILAB	541	381.95
C8051F410-GQR		SLAB
C8051F410-GQR			388	323.44
C8051F410-GQR		SILICON LABS
C8051F410-GQR		SILICON LABS
C8051F410-GQR		4-7 НЕДЕЛЬ	310
IRLML6401	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRLML6401	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А		40 800	3.15
IRLML6401	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	КИТАЙ
IRLML6401	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HOTTECH	200 936	3.99
IRLML6401	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	INFINEON
IRLML6401	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	HUASHUO	16 508	5.24
IRLML6401	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	KLS
IRLML6401	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	YOUTAI	83 282	2.84
IRLML6401	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	UMW	8 000	3.10
IRLML6401	Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А	SUNTAN	29 581	5.41
MIC5205-3.3YM5 TR	LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ...	MICREL
MIC5205-3.3YM5 TR	LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ...	Micrel Inc
MIC5205-3.3YM5 TR	LDO 1 кан, Uвх=2,5:16 В, Uвых=3,3 В, Iвых=150 мА, Udrop=165 мВ,-40:+125 °С точность ...	MCH/MCRL
КТ3107Б	Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...		418	11.04
КТ3107Б	Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	КРЕМНИЙ	800	10.96
КТ3107Б	Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	СВЕТЛАНА
КТ3107Б	Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	МИНСК
КТ3107Б	Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	БРЯНСК	1 341	12.60
КТ3107Б	Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	НАЛЬЧИК
КТ3107Б	Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	РИГА
КТ3107Б	Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	АЛЕКСАНДРОВ
КТ3107Б	Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	RUS
КТ3107Б	Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	ИНТЕГРАЛ	1	14.28

MAX1703ESE

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Микросхемы

Питание

Регуляторы напряжения

DC/DC регуляторы

С этим товаром покупают: