| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRF640NPBF |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF640NPBF |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF640NPBF |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INFINEON
|
5 276
|
40.29
|
|
|
|
IRF640NPBF |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
2 431
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
INFINEON
|
16 902
|
25.83
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
|
4 456
|
10.82
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML6401TRPBF |
|
Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A
|
TRR
|
72
|
4.13
|
|
|
|
|
IRLML9301TRPBF |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML9301TRPBF |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML9301TRPBF |
|
|
INFINEON
|
1 044
|
15.50
|
|
|
|
|
IRLML9301TRPBF |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
IRLML9301TRPBF |
|
|
INFINEON / IR
|
|
|
|
|
|
|
IRLML9301TRPBF |
|
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
IRLML9301TRPBF |
|
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRLML9301TRPBF |
|
|
TR
|
|
|
|
|
|
|
IRLML9301TRPBF |
|
|
UMW
|
|
|
|
|
|
|
IRLML9301TRPBF |
|
|
TRR
|
248
|
5.17
|
|
|
|
|
IRLML9301TRPBF |
|
|
КИТАЙ
|
4 606
|
5.57
|
|
|
|
|
IRLML9301TRPBF |
|
|
205
|
|
|
|
|
|
|
MCP1702T-3002E/CB |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
MCP1702T-3002E/CB |
|
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
MCP1702T-3002E/CB |
|
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
MCP1702T-3002E/CB |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MCP1702T-3002E/CB |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
MCP1702T-3002E/CB |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
|
230
|
94.50
|
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
YJ
|
|
|
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
ON SEMI
|
|
|
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MUR820G |
|
Ультрабыстрый диод 200V 8A
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|