IRLML6401TRPBF

Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
IRLML6401TRPBF (INTERNATIONAL RECTIFIER.)	2 431	3-4 недели Цена по запросу
IRLML6401TRPBF (INFINEON)	15 286	25.83
IRLML6401TRPBF	7 576	9.07
IRLML6401TRPBF (TRR)	5 840	4.13

Силовой транзистор
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: P
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 1.3 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 12V B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 4.5 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 4.3 А
Предельная температура (Tj): 150 С
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 0.05 Ом

Версия для печати

Технические характеристики IRLML6401TRPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	4.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	830pF @ 10V
Power - Max	1.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	Micro3™/SOT-23

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLML6401TRPBF datasheet

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INTERNATIONAL RECTIFIER	48
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INFINEON	29 360	8.27
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А		6 208	7.25
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INFINEON
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	HOTTECH
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	KLS
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	TR
IRLML6402TRPBF	P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	TRR	2 320	4.13
MC34119D	Маломощный УНЧ	ON SEMICONDUCTOR
MC34119D	Маломощный УНЧ	UTC
MC34119D	Маломощный УНЧ	MITSUBISHI
MC34119D	Маломощный УНЧ	ST MICROELECTRONICS
MC34119D	Маломощный УНЧ	UTRON
MC34119D	Маломощный УНЧ			48.60
MC34119D	Маломощный УНЧ	ИНТЕГРАЛ
MC34119D	Маломощный УНЧ	MOT
MC34119D	Маломощный УНЧ	4-7 НЕДЕЛЬ	752
MCP6022-I/SN	Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us	MICRO CHIP
MCP6022-I/SN	Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us			268.00
MCP6022-I/SN	Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us	Microchip Technology
MCP6022-I/SN	Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us	MICRO CHIP	32
MCP6022-I/SN	Операционнный усилитель 2xOp-Amp RtoR, 10MHz, 7,0V/us	4-7 НЕДЕЛЬ	696
MCP73831T-2ATI/OT				86.40
MCP73831T-2ATI/OT		MICRO CHIP	636	125.33
MCP73831T-2ATI/OT		MICRO CHIP	32
MCP73831T-2ATI/OT		Microchip Technology
MCP73831T-2ATI/OT		4-7 НЕДЕЛЬ	563
SN74LVC1G3157DBVR		TEXAS INSTRUMENTS	40	15.21
SN74LVC1G3157DBVR		TEXAS INSTRUMENTS
SN74LVC1G3157DBVR			8 864	4.83
SN74LVC1G3157DBVR		TEXAS
SN74LVC1G3157DBVR		TEXAS INSTRUMEN
SN74LVC1G3157DBVR		YOUTAI	32 952	3.11
SN74LVC1G3157DBVR		UMW-YOUTAI
SN74LVC1G3157DBVR		4-7 НЕДЕЛЬ	169

IRLML6401TRPBF

Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают: