|
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 4.8nC @ 4.5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 10µA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.6A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64 mOhm @ 3.6A, 10V |
FET Feature | Logic Level Gate |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 388pF @ 25V |
Power - Max | 1.3W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | Micro3™/SOT-23 |
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
5EHDR-02P (XY2500R-A) | XINYA | |||||||
BFG541,115 | NXP Semiconductors | |||||||
BFG541,115 | NXP | |||||||
C8051F411-GMR | SILAB | |||||||
C8051F411-GMR | SLAB | |||||||
C8051F411-GMR | ||||||||
C8051F411-GMR | SILICON LABS | 29 | ||||||
HPM24AX | пьезоизлучатель с генератором 24мм 12В | JLW | 624 | 73.69 | ||||
HPM24AX | пьезоизлучатель с генератором 24мм 12В | |||||||
HPM24AX | пьезоизлучатель с генератором 24мм 12В | JL WORLD | 3 680 | 413.28 | ||||
HPM24AX | пьезоизлучатель с генератором 24мм 12В | |||||||
HPM24AX | пьезоизлучатель с генератором 24мм 12В | ----- | ||||||
К73-17 ИМП, 1 МКФ, 250 В, 5%, MKT BOXED, B32522N3105J000 | EPCOS |
|