Версия для печати
Технические характеристики IRFR5505TRPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 9.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	650pF @ 25V
Power - Max	57W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	7.81
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	FAIR
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	NXP
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	PHILIPS
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)			6.80
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	NXP	4 399
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	PHILIPS
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ONS
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	КИТАЙ
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	DIOTEC
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	YJ	26 178	2.08
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	NEXPERIA
		IRF640NPBF		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF640NPBF		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF640NPBF		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...	INFINEON	5 226	40.29
		IRF640NPBF		Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...		1 200	22.55
		IRLML9301TRPBF			INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML9301TRPBF			INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML9301TRPBF			INFINEON	256	3.91
		IRLML9301TRPBF
		IRLML9301TRPBF			INFINEON / IR
		IRLML9301TRPBF			HOTTECH
		IRLML9301TRPBF			KLS
		IRLML9301TRPBF			TR
		IRLML9301TRPBF			UMW
		IRLML9301TRPBF			TRR	248	5.17
		IRLML9301TRPBF			КИТАЙ	4 446	5.34
		IRLML9301TRPBF			205
		MUR820G		Ультрабыстрый диод 200V 8A	ON SEMICONDUCTOR
		MUR820G		Ультрабыстрый диод 200V 8A	ONS
		MUR820G		Ультрабыстрый диод 200V 8A		230	94.50
		MUR820G		Ультрабыстрый диод 200V 8A	ON SEMICONDUCTOR
		MUR820G		Ультрабыстрый диод 200V 8A	YJ
		MUR820G		Ультрабыстрый диод 200V 8A	ON SEMI
		MUR820G		Ультрабыстрый диод 200V 8A	ONSEMICONDUCTOR
		MUR820G		Ультрабыстрый диод 200V 8A	ON SEMICONDUCTO
		SI9945AEY		Сдвоенный N-канальный Полевой транзистор (Vds=60V, Id=3.7A@t=25C, 3.2A@t=70C, Rds=0.08 ...	VISHAY
		SI9945AEY		Сдвоенный N-канальный Полевой транзистор (Vds=60V, Id=3.7A@t=25C, 3.2A@t=70C, Rds=0.08 ...			162.80
		SI9945AEY		Сдвоенный N-канальный Полевой транзистор (Vds=60V, Id=3.7A@t=25C, 3.2A@t=70C, Rds=0.08 ...	TECH PUB

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"