IRLML6401TRPBF


Силовой МОП-Транзистор Р-канальный Vси = -12 В, Rоткр = 0.05 Ом, Id(25°C) = -4,3 A

Купить IRLML6401TRPBF ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
IRLML6401TRPBF  Силовой транзистор Структура транзистора:...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IRLML6401TRPBF (INTERNATIONAL RECTIFIER.) 2 431 3-4 недели
Цена по запросу
IRLML6401TRPBF (INFINEON) 41 360 10.67 
IRLML6401TRPBF 8 056 9.07 
IRLML6401TRPBF (TRR) 6 160 4.13 

Силовой транзистор
Структура транзистора: MOSFET
Тип управляющего канала: P
Предельная постоянная рассеиваемая мощность стока (Pd) транзистора: 1.3 Bт
Напряжение пробоя сток-исток (Uds): 12V B
Предельное напряжение затвор-исток (Ugs): 4.5 В
Предельный ток затвора транзистора (Id): 4.3 А
Предельная температура (Tj): 150 С
Сопротивление сток-исток во включенном состоянии (Rds): 0.05 Ом

Версия для печати

Технические характеристики IRLML6401TRPBF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs50 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C4.3A
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs15nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds830pF @ 10V
Power - Max1.3W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
КорпусMicro3™/SOT-23
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


IRLML6401TRPBF datasheet

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
    MCP1700T-3002E/TT     MICRO CHIP 5 713 46.83 
    MCP1700T-3002E/TT     MICRO CHIP Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MCP1700T-3002E/TT       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MCP1700T-3002E/TT     Microchip Technology Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MCP1700T-3002E/TT     4-7 НЕДЕЛЬ 440 цена радиодетали
    MCP73831T-2ATI/OT       Заказ радиодеталей 86.40 
    MCP73831T-2ATI/OT     MICRO CHIP 1 393 78.92 
    MCP73831T-2ATI/OT     MICRO CHIP 32 цена радиодетали
    MCP73831T-2ATI/OT     Microchip Technology Заказ радиодеталей цена радиодетали
    MCP73831T-2ATI/OT     4-7 НЕДЕЛЬ 563 цена радиодетали
    NCP1402SN50T1G Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    NCP1402SN50T1G Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).   ONS 1 136 109.92 
    NCP1402SN50T1G Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).     Заказ радиодеталей цена радиодетали
    NCP1402SN50T1G Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
    NCP1402SN50T1G Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).   ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
    NCP1402SN50T1G Импульсный повыш. стабилизатор (I=0.2A, Vin=0.8 to 5.5 V, Vout=5V).   4-7 НЕДЕЛЬ 325 цена радиодетали
  SN74LVC1G3157DBVR     TEXAS INSTRUMENTS 40 15.03 
  SN74LVC1G3157DBVR     TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
  SN74LVC1G3157DBVR       9 064 4.83 
  SN74LVC1G3157DBVR     TEXAS 24 350 8.13 
  SN74LVC1G3157DBVR     TEXAS INSTRUMEN Заказ радиодеталей цена радиодетали
  SN74LVC1G3157DBVR     YOUTAI 47 140 3.99 
  SN74LVC1G3157DBVR     UMW-YOUTAI Заказ радиодеталей цена радиодетали
  SN74LVC1G3157DBVR     4-7 НЕДЕЛЬ 169 цена радиодетали
    UA78L09ACPK PBF SOT89   TEXAS INSTRUMENTS 4 21.00 
    UA78L09ACPK PBF SOT89   TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    UA78L09ACPK PBF SOT89     Заказ радиодеталей цена радиодетали
    UA78L09ACPK PBF SOT89   TEXAS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    UA78L09ACPK PBF SOT89   4-7 НЕДЕЛЬ 56 цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход