|
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 4.8nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 10µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64 mOhm @ 3.6A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 388pF @ 25V |
| Power - Max | 1.3W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | Micro3™/SOT-23 |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 5EHDR-02P (XY2500R-A) | XINYA |
|
|
|||||
|
|
|
BFG541,115 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
BFG541,115 |
|
NXP |
|
|
||
| C8051F411-GMR | SILAB |
|
|
|||||
| C8051F411-GMR | SLAB |
|
|
|||||
| C8051F411-GMR |
|
|
||||||
| C8051F411-GMR | SILICON LABS | 39 |
|
|||||
| C8051F411-GMR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 110 |
|
|||||
|
|
HPM24AX |
|
пьезоизлучатель с генератором 24мм 12В | JLW | 6 289 | 79.99 | ||
|
|
HPM24AX |
|
пьезоизлучатель с генератором 24мм 12В |
|
|
|||
|
|
HPM24AX |
|
пьезоизлучатель с генератором 24мм 12В | JL WORLD | 800 | 123.98 | ||
|
|
HPM24AX |
|
пьезоизлучатель с генератором 24мм 12В |
|
|
|||
|
|
HPM24AX |
|
пьезоизлучатель с генератором 24мм 12В | ----- |
|
|
||
| К73-17 ИМП, 1 МКФ, 250 В, 5%, MKT BOXED, B32522N3105J000 | EPCOS |
|
|