|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1.5KE200A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 200
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
1.5KE200A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 200
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
1.5KE200A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 200
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1.5KE200A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 200
|
ST MICROELECTRONICS
|
183
|
43.41
|
|
|
|
1.5KE200A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 200
|
DC COMPONENTS
|
6 029
|
17.65
|
|
|
|
1.5KE200A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 200
|
|
8 729
|
8.68
|
|
|
|
1.5KE200A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 200
|
EIC
|
|
|
|
|
|
1.5KE200A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 200
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
1.5KE200A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 200
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1.5KE200A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 200
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1.5KE200A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 200
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1.5KE200A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 200
|
MIC
|
|
|
|
|
|
1.5KE200A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 200
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1.5KE200A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 200
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
1.5KE200A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 200
|
LTL
|
|
|
|
|
|
1.5KE200A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 200
|
KINGTRONICS
|
6
|
17.56
|
|
|
|
1.5KE200A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 200
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
1.5KE200A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 200
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1.5KE200A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 200
|
BRIGHTKING
|
|
|
|
|
|
1.5KE200A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 200
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1.5KE200A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 200
|
JJM
|
275
|
19.10
|
|
|
|
1.5KE200A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 200
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1.5KE200A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 200
|
YJ
|
11 944
|
10.47
|
|
|
|
1.5KE200A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 200
|
KOME
|
424
|
8.67
|
|
|
|
1.5KE200A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 200
|
HOTTECH
|
11 757
|
13.29
|
|
|
|
1.5KE200A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 200
|
1
|
|
|
|
|
|
1.5KE200A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 200
|
SUNTAN
|
556
|
15.45
|
|
|
|
1.5KE30CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
1.5KE30CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1.5KE30CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 708
|
41.16
|
|
|
|
1.5KE30CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в
|
DC COMPONENTS
|
1 668
|
11.16
|
|
|
|
1.5KE30CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1.5KE30CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в
|
EIC
|
|
|
|
|
|
1.5KE30CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в
|
|
5 437
|
6.21
|
|
|
|
1.5KE30CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
1.5KE30CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1.5KE30CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1.5KE30CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в
|
LTL
|
|
|
|
|
|
1.5KE30CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в
|
YJ
|
1 708
|
10.85
|
|
|
|
1.5KE30CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в
|
LITTELFUSE
|
1 828
|
25.56
|
|
|
|
1.5KE30CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
1.5KE30CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в
|
HOTTECH
|
4 325
|
11.62
|
|
|
|
1.5KE30CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 30в
|
1
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS
|
3 251
|
9.29
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GOODWORK SEMICONDUCTER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
6 120
|
3.76
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIC
|
22 806
|
2.08
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YJ
|
16 272
|
2.72
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
3 692
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
21
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
80
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTRON
|
240
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YJ ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
КИТАЙ
|
400
|
3.15
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
43 351
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DIODES INC.
|
14
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MMC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
|
19 083
|
1.83
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
JY
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SUNTAN
|
3 188
|
3.25
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YANGJIE
|
16 000
|
2.34
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIС
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
1
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NXP
|
40
|
1.68
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DC COMPONENTS
|
8 265
|
2.44
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DIOTEC
|
9 457
|
3.78
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON
|
240
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NXP
|
1 212
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PHILIPS
|
976
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
|
117 456
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
HOTTECH
|
1 481 852
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PH / NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NEX-NXP
|
68 000
|
2.07
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
SEMTECH
|
3 026
|
1.10
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YJ
|
1 205 497
|
1.14
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PH/NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
CTK
|
2 551
|
1.68
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
OLITECH ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
SUNTAN
|
112 092
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
1
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NEXPERIA
|
512 622
|
1.06
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
16
|
1.98
>100 шт. 0.99
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
XXW
|
615 388
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
|
|
300.00
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
IRFP460 |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=500V, Id=20A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.27 ...
|
JSMICRO
|
720
|
105.94
|
|