Версия для печати
Технические характеристики TLP504A

Тип входа	DC
Количество каналов	2
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Vce Saturation (Max)	400mV
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Тип выхода	Transistor
Current - DC Forward (If)	50mA
Ток выходной / канал	50mA
Напряжение выходное	55V
Current Transfer Ratio (Max)	600% @ 5mA
Current Transfer Ratio (Min)	50% @ 5mA
Voltage - Isolation	2500Vrms
Output Type	Transistor

TLP504A (Оптроны транзисторные (с транзисторным выходом)) programmable controllers ac / dc-input module solid state relay Также в этом файле: TLP504A-2 Производитель: Toshiba Semiconductor //www.semicon.toshiba.co.jp TLP504A datasheet 305.83Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Оптоэлектроника

 » 

Оптроны

 » 

Фототранзистор

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	EIC
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	ON SEMICONDUCTOR
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	DC COMPONENTS	8 062	13.60
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	SMK
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	DIOTEC
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	ST MICROELECTRONICS
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	ONS
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%		7 860	6.50
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	OTHER	3
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	Microsemi Commercial Components Group
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	MULTICOMP
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	KLS
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	HOTTECH
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	MIC
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	1
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	SUNTAN	1 001	8.29
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%	LGE
		1N5349B		Стабилитрон Vz=12V(nom), @Iz=100 mA, tol=5%		3 024	27.66
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	ST MICROELECTRONICS	10 376	75.21
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус			128.56
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	STMICROELECTRONICS
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	КИТАЙ
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	ST MICROELECTRONICS SEMI	25
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	YOUTAI	14 227	25.28
		MCR106-8G TO225
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	32.13
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	4 362	11.72
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	612
		TLP181GB			TOSHIBA
		TLP181GB				2 322	42.55
		TLP181GB			TOS
		TLP181GB			ТАИЛАНД
		TLP181GB			1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"