Версия для печати
Технические характеристики TLP504A

Тип входа	DC
Количество каналов	2
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Vce Saturation (Max)	400mV
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Тип выхода	Transistor
Current - DC Forward (If)	50mA
Ток выходной / канал	50mA
Напряжение выходное	55V
Current Transfer Ratio (Max)	600% @ 5mA
Current Transfer Ratio (Min)	50% @ 5mA
Voltage - Isolation	2500Vrms
Output Type	Transistor

TLP504A (Оптроны транзисторные (с транзисторным выходом)) programmable controllers ac / dc-input module solid state relay Также в этом файле: TLP504A-2 Производитель: Toshiba Semiconductor //www.semicon.toshiba.co.jp TLP504A datasheet 305.83Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Оптоэлектроника

 » 

Оптроны

 » 

Фототранзистор

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	FAIR
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	GENERAL INSTRUMENT
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	MOTOROLA
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	ON SEMICONDUCTOR
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	PHILIPS
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A		23 401	1.74
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	ST MICROELECTRONICS	219	5.69
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	DC COMPONENTS	5 820	2.48
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	SMK
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	FAIRCHILD
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	FAIRCHILD	246
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	GENERAL INSTRUMENT
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	GENERAL SEMICONDUCTOR	172
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	MOTOROLA	4
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	ON SEMICONDUCTOR	35
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	PHILIPS
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	Fairchild Semiconductor
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	Vishay/Semiconductors
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	STMicroelectronics
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	FAGOR	16
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	КИТАЙ	26	10.93
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	KINGTRONICS
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	MASTER INSTRUMENT	400	10.93
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	MIG	3 528	3.15
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	LGE	2 640	2.07
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	MIC	67	3.15
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	YANGJIE	4 000	2.07
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	HOTTECH	5 315	1.21
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	TRR
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	1
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	KEEN SIDE	5 044	1.17
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	4410
		1N5818		Диод Шоттки 30В, 1A, 25A	84
		2SC945		Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz		20 783	1.02
		2SC945		Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz	NEC
		2SC945		Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz	DC COMPONENTS	9 625	1.86
		2SC945		Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz	КИТАЙ
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	ST MICROELECTRONICS	402	60.56
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус			128.56
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	STMICROELECTRONICS
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	КИТАЙ
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	ST MICROELECTRONICS SEMI	25
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	YOUTAI	6 524	42.32
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	NEC
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	FAIR
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	PHILIPS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	SGS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	SIGNETICS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	ST MICROELECTRONICS	532	34.36
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	UTC
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	FAIRCHILD
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	SGS THOMSON
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	SIGNETICS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS INSTRUMENTS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	STMicroelectronics
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	Fairchild Semiconductor
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TEXAS
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...		4	44.04
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	HTC TAEJIN	632	16.53
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	HTC	1 508	13.58
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	4-7 НЕДЕЛЬ	320
		NE555D		Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...	TAEJIN TECHNOLOGY CO.,LTD
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	34.36
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	338	8.27
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	552

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"