Версия для печати
Технические характеристики TLP504A

Тип входа	DC
Количество каналов	2
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Vce Saturation (Max)	400mV
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Тип выхода	Transistor
Current - DC Forward (If)	50mA
Ток выходной / канал	50mA
Напряжение выходное	55V
Current Transfer Ratio (Max)	600% @ 5mA
Current Transfer Ratio (Min)	50% @ 5mA
Voltage - Isolation	2500Vrms
Output Type	Transistor

TLP504A (Оптроны транзисторные (с транзисторным выходом)) programmable controllers ac / dc-input module solid state relay Также в этом файле: TLP504A-2 Производитель: Toshiba Semiconductor //www.semicon.toshiba.co.jp TLP504A datasheet 305.83Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Оптоэлектроника

 » 

Оптроны

 » 

Фототранзистор

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SA733		Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)	NXP
		2SA733		Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)	NEC	28	7.50
		2SA733		Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)			5.00
		2SA733		Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		2SA733		Биполярный транзистор PNP (60V, 0.1A, 0.25W, 180MHz)	ТАЙВАНЬ
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	ST MICROELECTRONICS	365	63.14
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус			128.56
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	STMICROELECTRONICS
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	КИТАЙ
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	ST MICROELECTRONICS SEMI	25
		BTA16-600BRG		Симистор на 16 ампер 600 вольт, логический уровень, изолированный корпус	YOUTAI	12 314	21.57
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	67.15
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	VISHAY
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERSIL
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ON SEMICONDUCTOR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	SILICONIX
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...		20	74.00
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	1
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ON SEMICONDUCTOR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	SILICONIX
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	Vishay/Siliconix
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	STMicroelectronics
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	КИТАЙ
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	VISHAY/IR
		IRF530		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=16A@T=25C, Id=11A@T=100C, Rds=0.12 ...	ST MICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	34.36
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	113	13.32
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	552
		ЭКР1533ИР33		Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ		86	62.56
		ЭКР1533ИР33		Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ	ЗПП
		ЭКР1533ИР33		Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ	ЗПП МИНСК
		ЭКР1533ИР33		Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ	ИНТЕГРАЛ	568	71.87
		ЭКР1533ИР33		Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ	МИНСК
		ЭКР1533ИР33		Регистр буферный, входов / выходов 8, 28нс, 4.5 ... 5.5В, ТТЛ	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"