FDMC3612

Версия для печати

Технические характеристики FDMC3612

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.3A
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 3.3A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	PowerTrench®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	880pF @ 50V
Power - Max	2.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-WDFN Exposed Pad
Корпус	8-MLP (3.3x3.3)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
B82559A9153A020, 15 МКГН, 15.3 А		EPCOS
BLM18PG121SN1D	Чип-дроссель SMD 0603	MURATA	6 800	23.80
BLM18PG121SN1D	Чип-дроссель SMD 0603	MUR	322 815	1.89
BLM18PG121SN1D	Чип-дроссель SMD 0603			3.40
BLM18PG121SN1D	Чип-дроссель SMD 0603	MURATA
BLM18PG121SN1D	Чип-дроссель SMD 0603	Murata Electronics North America
BLM18PG121SN1D	Чип-дроссель SMD 0603	MURATA*
FM25V20A-DGTR		CYPR
FM25V20A-DGTR
FM25V20A-DGTR		CYP
FM25V20A-DGTR		CYPRESS
FM25V20A-DGTR		INFINEON
FM25V20A-DGTR		4-7 НЕДЕЛЬ	379
NFM18PS105R0J3D		MURATA	99	7.23
NFM18PS105R0J3D		MURATA
NFM18PS105R0J3D		Murata Electronics North America
NFM18PS105R0J3D		MUR	35 849	4.61
NFM18PS105R0J3D
SMAJ58A-TR	Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA	ST MICROELECTRONICS
SMAJ58A-TR	Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA	ST MICROELECTRONICS SEMI	9 944
SMAJ58A-TR	Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA	STMicroelectronics
SMAJ58A-TR	Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA