FDMC3612

Версия для печати

Технические характеристики FDMC3612

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.3A
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 3.3A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	PowerTrench®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	21nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	880pF @ 50V
Power - Max	2.3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-WDFN Exposed Pad
Корпус	8-MLP (3.3x3.3)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BC848ALT1G		ON SEMICONDUCTOR
BC848ALT1G		ONS	5 321	5.37
BC848ALT1G		ON SEMICONDUCTOR
BC848ALT1G
CAT24C04WI-GT3		CATALYST SEMICONDUCTOR
CAT24C04WI-GT3		ON SEMICONDUCTOR
CAT24C04WI-GT3		CATALYST SEMICONDUCTOR	692
CAT24C04WI-GT3		ONS	790	22.58
CAT24C04WI-GT3		ON SEMICONDUCTOR	501
CAT24C04WI-GT3			339	25.20
CAT24C04WI-GT3		4-7 НЕДЕЛЬ	258
NFM18PS105R0J3D		MURATA	9 436	6.61
NFM18PS105R0J3D		MURATA
NFM18PS105R0J3D		Murata Electronics North America
NFM18PS105R0J3D		MUR	28 521	2.89
NFM18PS105R0J3D
SMAJ58A-TR	Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA	ST MICROELECTRONICS	968	14.81
SMAJ58A-TR	Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA	ST MICROELECTRONICS SEMI	9 944
SMAJ58A-TR	Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA	STMicroelectronics
SMAJ58A-TR	Защитный диод однонаправленный 400W 58V SMA
TPS73125DBVT		TEXAS INSTRUMENTS
TPS73125DBVT
TPS73125DBVT		TEXAS
TPS73125DBVT		4-7 НЕДЕЛЬ	271