TLV431ASNT1G
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Reference Type | Shunt, Adjustable, Precision |
| Напряжение выходное | 1.24 V ~ 16 V |
| Допустимые отклонения емкости | ±2% |
| Количество каналов | 1 |
| Ток катод | 100µA |
| Ток выходной | 20mA |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
| Корпус | SOT-23-5 |
| Tolerance | ±2% |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BAS 116 JVP | NXP |
|
|
|||||
| CWF- 3R | NXU |
|
|
|||||
| NFM18PS105R0J3D | MURATA | 99 | 8.27 | |||||
| NFM18PS105R0J3D | MURATA |
|
|
|||||
| NFM18PS105R0J3D | Murata Electronics North America |
|
|
|||||
| NFM18PS105R0J3D | MUR | 39 868 | 5.13 | |||||
| NFM18PS105R0J3D |
|
|
||||||
| SIS412DN-T1-GE3 |
|
51.48 | ||||||
| SIS412DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix |
|
|
|||||
| SIS412DN-T1-GE3 | SILICONIX |
|
|
|||||
| SIS412DN-T1-GE3 | VISHAY | 1 944 | 33.84 | |||||
| TPS22929DDBVT |
|
|
||||||
| TPS22929DDBVT | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TPS22929DDBVT | TEXAS INSTRUMENTS | 160 |
|
|||||
| TPS22929DDBVT | TEXAS |
|
|
|||||
| TPS22929DDBVT | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
