SFH6186-2T
|
|
Версия для печати
| Напряжение выходное | 55V |
| Current Transfer Ratio (Max) | 125% @ 1mA |
| Current Transfer Ratio (Min) | 32% @ 500µA |
| Voltage - Isolation | 5300Vrms |
| Тип входа | DC |
| Количество каналов | 1 |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Корпус (размер) | 4-SMD (300 mil) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип выхода | Transistor |
| Vce Saturation (Max) | 400mV |
| Current - DC Forward (If) | 60mA |
| Ток выходной / канал | 50mA |
| Output Type | Transistor |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
LQM18FN100M00D |
|
Murata Electronics North America |
|
|
||
|
|
|
LQM18FN100M00D |
|
MUR | 262 646 | 3.92 | ||
|
|
|
LQM18FN100M00D |
|
|
|
|||
|
|
|
LQM18FN100M00D |
|
MURATA | 11 372 | 5.81 | ||
| NFM18PS105R0J3D | MURATA | 9 652 | 6.46 | |||||
| NFM18PS105R0J3D | MURATA |
|
|
|||||
| NFM18PS105R0J3D | Murata Electronics North America |
|
|
|||||
| NFM18PS105R0J3D | MUR | 47 717 | 3.30 | |||||
| NFM18PS105R0J3D |
|
|
||||||
| SIS412DN-T1-GE3 |
|
51.48 | ||||||
| SIS412DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix |
|
|
|||||
| SIS412DN-T1-GE3 | SILICONIX |
|
|
|||||
| SIS412DN-T1-GE3 | VISHAY | 4 157 | 18.22 | |||||
| TLV431ASNT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| TLV431ASNT1G | ONS | 740 | 28.82 | |||||
| TLV431ASNT1G | ON SEMICONDUCTOR | 1 834 |
|
|||||
| TLV431ASNT1G |
|
|
||||||
| TLV431ASNT1G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 441 |
|
|||||
| VS-30BQ100-M3/9AT | VISHAY | 97 512 | 24.18 | |||||
| VS-30BQ100-M3/9AT | 6 160 | 17.02 | ||||||
| VS-30BQ100-M3/9AT | VISHAY IR | 1 | 118.84 |
