MBRS1100
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 1A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500µA @ 100V |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DO-214AA, SMB |
| Корпус | SMB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
MBRS1100T3 Schottky Power Rectifier
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BZX84C3V3LT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
BZX84C3V3LT1G | ONS | 18 763 | 4.36 | ||||
|
|
BZX84C3V3LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 132 |
|
||||
|
|
BZX84C3V3LT1G |
|
|
|||||
|
|
BZX84C3V3LT1G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
||||
| BZX84C4V7LT1G | ONS | 16 714 | 2.25 | |||||
| BZX84C4V7LT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| BZX84C4V7LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 3 096 |
|
|||||
| BZX84C4V7LT1G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| BZX84C4V7LT1G | 800 | 3.70 | ||||||
| BZX84C4V7LT1G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| BZX84C5V6-V-GS18 | VISHAY |
|
|
|||||
| BZX84C5V6-V-GS18 | VISHAY |
|
|
|||||
| BZX84C5V6-V-GS18 |
|
|
||||||
 |
CM453232-101KL |
|
ЧИП-индуктивность 100 мкГн1812 |
|
72.00 | |||
|
|
CM453232-101KL |
|
ЧИП-индуктивность 100 мкГн1812 | BOURNS | 50 | 13.43 | ||
|
|
CM453232-101KL |
|
ЧИП-индуктивность 100 мкГн1812 | ВОURNS |
|
|
||
 |
CM453232-470KL |
|
ЧИП-индуктивность 47 мкГн 1812 | BOURNS | 1 270 | 25.20 | ||
|
|
CM453232-470KL |
|
ЧИП-индуктивность 47 мкГн 1812 |
|
|
