IRF7478PBF
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 4.2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 31nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1740pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BZX84C4V7LT1G | ONS | 16 714 | 2.18 | |||||
| BZX84C4V7LT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| BZX84C4V7LT1G | ON SEMICONDUCTOR | 3 096 |
|
|||||
| BZX84C4V7LT1G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| BZX84C4V7LT1G | 800 | 3.70 | ||||||
| BZX84C4V7LT1G | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| BZX84C5V6-V-GS18 | VISHAY |
|
|
|||||
| BZX84C5V6-V-GS18 | VISHAY |
|
|
|||||
| BZX84C5V6-V-GS18 |
|
|
||||||
| CM453232-330KL | BOURNS | 1 655 | 21.63 | |||||
| CM453232-330KL | 168 |
|
||||||
 |
CM453232-470KL |
|
ЧИП-индуктивность 47 мкГн 1812 | BOURNS | 1 254 | 25.20 | ||
|
|
CM453232-470KL |
|
ЧИП-индуктивность 47 мкГн 1812 |
|
|
|||
 |
 |
IRF7402 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF7402 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF7402 |
|
Hexfet power mosfets discrete n-channel |
|
|
