IRF7478PBF

Версия для печати

Технические характеристики IRF7478PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26 mOhm @ 4.2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	7A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	31nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1740pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1206-470 5%	ЧИП — резистор 470кОм, 5%, 1206			0.96 >500 шт. 0.32
MBRS1100		ON SEMICONDUCTOR
MBRS1100				34.00
MBRS1100		VISHAY
MBRS1100		ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
MBRS1100		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
MBRS1100		KEENSIDE
MCP1525T-I/TT	Источник опорного напряжения Uout=2,5V -40/+85°C TO92-3pin	MICRO CHIP	7 050	51.26
MCP1525T-I/TT	Источник опорного напряжения Uout=2,5V -40/+85°C TO92-3pin		45	111.00
MCP1525T-I/TT	Источник опорного напряжения Uout=2,5V -40/+85°C TO92-3pin	Microchip Technology
MCP1525T-I/TT	Источник опорного напряжения Uout=2,5V -40/+85°C TO92-3pin	MICRO CHIP	716
MCP1525T-I/TT	Источник опорного напряжения Uout=2,5V -40/+85°C TO92-3pin	4-7 НЕДЕЛЬ	140
NUP2201MR6T1G		ON SEMICONDUCTOR	1 084	759.75
NUP2201MR6T1G			2	147.42
NUP2201MR6T1G		ONS	608	48.42
NUP2201MR6T1G		ON SEMICONDUCTOR	1 401
NUP2201MR6T1G		ONSEMICONDUCTOR
SN74LVC1G86DCKR		TEXAS INSTRUMENTS	800	4.36
SN74LVC1G86DCKR		TEXAS INSTRUMENTS	6 273
SN74LVC1G86DCKR		TEXAS	4 902	7.77
SN74LVC1G86DCKR			5 604	5.12
SN74LVC1G86DCKR		4-7 НЕДЕЛЬ	769