Версия для печати
Технические характеристики STP11NK40ZFP

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	SuperMESH™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	550 mOhm @ 4.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	400V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	32nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	930pF @ 25V
Power - Max	30W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220FP
Корпус	TO-220FP

STP11NK40ZFP (MOSFET) N-channel 400V - 0.49? - 9A TO-220FP Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET Производитель: STMicroelectronics STP11NK40ZFP datasheet 420 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	DC COMPONENTS
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	DIOTEC	24	3.90
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс		232	12.95
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	---
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	КИТАЙ
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	GOOD-ARK
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	SUNTAN
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	KLS
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	WUXI XUYANG
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	ASEMI	5 040	1.92  >100 шт.   0.96
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	SUNMATE	4 089	4.36
		BC817-40-7-F			DIODES
		BC817-40-7-F			DI
		BC817-40-7-F			DIODES INC.	2 094
		BC817-40-7-F			Diodes Inc
		IRFP340		Транзистор полевой	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFP340		Транзистор полевой	VISHAY
		IRFP340		Транзистор полевой	HARRIS
		IRFP340		Транзистор полевой	INTERSIL
		IRFP340		Транзистор полевой			139.28
		IRFP340		Транзистор полевой	Vishay/Siliconix
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTOR	4	1.59
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ONS	135	2.19
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTOR	794
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ON SEMICONDUCTO
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	ONSEMICONDUCTOR
		MMBT5401LT1G		Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23	0.00
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS	1 329	30.28
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...		5 688	35.68
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	STMicroelectronics
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTR
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	КИТАЙ
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRO
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	4-7 НЕДЕЛЬ	623

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"