| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BA159 |
|
Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BA159 |
|
Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс
|
DIOTEC
|
40
|
1.69
|
|
|
|
BA159 |
|
Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс
|
|
232
|
12.95
|
|
|
|
BA159 |
|
Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс
|
---
|
|
|
|
|
|
BA159 |
|
Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BA159 |
|
Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс
|
GOOD-ARK
|
|
|
|
|
|
BA159 |
|
Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BA159 |
|
Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BA159 |
|
Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BA159 |
|
Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
BA159 |
|
Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс
|
SUNMATE
|
3 748
|
4.44
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS
|
800
|
7.81
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
DC COMPONENTS
|
4 623
|
1.67
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD
|
1 511
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 245
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
NXP
|
9 632
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS
|
3 040
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
|
39 466
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
MICRO COMMERCIA
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
HOTTECH
|
38 365
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
PHI
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
PANJIT
|
32 000
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
KLS
|
34
|
1.45
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
YOUTAI
|
2 816
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
JSCJ
|
18 659
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
YJ
|
331 663
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
YANGJIE
|
24 000
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
MIC
|
38 400
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
NSP
|
5 273
|
2.12
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
KEEN SIDE
|
24 800
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BAS21 |
|
Импульсный диод (Vr=200V, Vrrm=250V, If=200mA, Ifrm=625mA, P=250mW, Ts=-65.150C)
|
6592
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
4
|
1.62
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
794
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
0.00
|
|
|
|
|
|
STP11NK40ZFP |
|
N-channel 400v - 0.49? - 9a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STP11NK40ZFP |
|
N-channel 400v - 0.49? - 9a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP11NK40ZFP |
|
N-channel 400v - 0.49? - 9a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STP11NK40ZFP |
|
N-channel 400v - 0.49? - 9a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STP11NK40ZFP |
|
N-channel 400v - 0.49? - 9a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 336
|
35.56
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
|
5 688
|
35.68
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
623
|
|
|