Версия для печати
Технические характеристики KSP42

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	300V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 2mA, 20mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 30mA, 10V
Power - Max	625mW
Frequency - Transition	50MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3

KSP42 (Универсальные биполярные NPN транзисторы) NPN Epitaxial Silicon Transistor Производитель: Fairchild Semiconductor //www.fairchildsemi.com KSP42 datasheet 38.45Kb 4стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	DC COMPONENTS
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	DIOTEC	40	1.76
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс		232	12.95
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	---
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	КИТАЙ
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	GOOD-ARK
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	SUNTAN
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	KLS
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	WUXI XUYANG
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	ASEMI	4 960	1.52  >100 шт.   0.76
		BA159		Быстрый выпрямительный диод 1000V, 1A, 0.3мкс	SUNMATE	4 430	4.70
		BF483		NPN 250V, 50mA, 0.8W, >70MHz	PHILIPS
		BF483		NPN 250V, 50mA, 0.8W, >70MHz	NXP
		BF483		NPN 250V, 50mA, 0.8W, >70MHz
		BF483		NPN 250V, 50mA, 0.8W, >70MHz
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	400	98.38
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INTERSIL
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...		684	79.55
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	ФИЛИППИНЫ
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	INFINEON	1	24.42
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	1
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	YOUTAI	7 505	17.90
		IRF540N		Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...	WS
		MJE243G			ON Semiconductor
		MJE243G			ONS
		MJE243G			ON SEMICONDUCTOR
		MJE243G				6	143.64
		MJE243G			1
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS	1 329	32.24
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...		5 688	35.68
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	STMicroelectronics
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTR
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	КИТАЙ
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRO
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	4-7 НЕДЕЛЬ	623

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"