Версия для печати
Технические характеристики KSP42

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	300V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 2mA, 20mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 30mA, 10V
Power - Max	625mW
Frequency - Transition	50MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3

KSP42 (Универсальные биполярные NPN транзисторы) NPN Epitaxial Silicon Transistor Производитель: Fairchild Semiconductor //www.fairchildsemi.com KSP42 datasheet 38.45Kb 4стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SPRAGUE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CDIL
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	UTC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DC COMPONENTS	5 251	4.97
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	DIOTEC	11 792	3.85
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	FAIRCHILD
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MOTOROLA
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	NXP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	PHILIPS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	SAMSUNG
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON Semiconductor
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	КИТАЙ	952	3.10
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE SEMIC
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	МИНСК	2 052	4.20
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...		5 600	1.13
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	INCHANGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ON SEMI/FAIRCH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ONSEMICONDUCTOR
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	MULTICOMP
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	HOTTECH	74 640	0.70  >1000 шт.   0.14
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	KLS
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	LGE
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CHINA	22 400	1.05
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	ZH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	OLITECH
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	CJ	4 604	2.14
		2N5401		Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...	1
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	11.34
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	10 296	4.68
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	5 898	8.57
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		5 600	1.22
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	451	1.74
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 600	1.22
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		BC548C		Транзистор биполярный малой мощности NPN 30V 0,1A 0,5W B:420-800	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BC548C		Транзистор биполярный малой мощности NPN 30V 0,1A 0,5W B:420-800	FAIR
		BC548C		Транзистор биполярный малой мощности NPN 30V 0,1A 0,5W B:420-800	DIOTEC
		BC548C		Транзистор биполярный малой мощности NPN 30V 0,1A 0,5W B:420-800	FAIRCHILD
		BC548C		Транзистор биполярный малой мощности NPN 30V 0,1A 0,5W B:420-800	FAIRCHILD
		BC548C		Транзистор биполярный малой мощности NPN 30V 0,1A 0,5W B:420-800	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BC548C		Транзистор биполярный малой мощности NPN 30V 0,1A 0,5W B:420-800	OTHER
		BC548C		Транзистор биполярный малой мощности NPN 30V 0,1A 0,5W B:420-800	Fairchild Semiconductor
		BC548C		Транзистор биполярный малой мощности NPN 30V 0,1A 0,5W B:420-800	ON Semiconductor
		BC548C		Транзистор биполярный малой мощности NPN 30V 0,1A 0,5W B:420-800	КИТАЙ
		BC548C		Транзистор биполярный малой мощности NPN 30V 0,1A 0,5W B:420-800	ONS
		BC548C		Транзистор биполярный малой мощности NPN 30V 0,1A 0,5W B:420-800	CJ
		BC548C		Транзистор биполярный малой мощности NPN 30V 0,1A 0,5W B:420-800			6.64
		MJE340G			ON SEMICONDUCTOR
		MJE340G			ONS	1 331	37.20
		MJE340G				3 920	22.84
		MJE340G			KLS
		MJE340G			LGE	98	12.81
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	FAIR
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	LITE ON OPTOELECTRONICS
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	PHILIPS
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	SENSITRON
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	VISHAY
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	WTE
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	DC COMPONENTS
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	DIOTEC	3 339	5.88
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	SMK
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	FAIRCHILD
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	FAIRCHILD	179
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	LITE ON OPTOELECTRONICS
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	OTHER
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	PHILIPS	122
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	SENSITRON
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	VISHAY	9
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	Fairchild Semiconductor
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	ONS-FAIR
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	ONS
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)		7 200	5.55
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	KINGTRONICS
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	HOTTECH
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	YANGJIE	8 000	1.64  >100 шт.   0.82
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	MIC	32 000	1.14  >100 шт.   0.57
		S1G		Диод выпрямительный Vr=400V, Ifav=1.0A, Ifsm=30A (SMD)	TWGMC	168	1.52

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"