Версия для печати
Технические характеристики KSP42

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	300V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 2mA, 20mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 30mA, 10V
Power - Max	625mW
Frequency - Transition	50MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3

KSP42 (Универсальные биполярные NPN транзисторы) NPN Epitaxial Silicon Transistor Производитель: Fairchild Semiconductor //www.fairchildsemi.com KSP42 datasheet 38.45Kb 4стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz			6.36
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	FAIR
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	PHILIPS
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	NXP
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	ON SEMICONDUCTOR
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	FAIRCHILD
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	UNKNOWN
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	FAIRCHILD
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	NXP
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	ON SEMICONDUCTOR	2 416
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	PHILIPS	152
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	Fairchild Semiconductor
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	ТАИЛАНД
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	ONS
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	FSC1
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	FSC
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	HOTTECH	28 098	5.08
		BC639		Транзистор биполярный малой мощност NPN 100V, 1A, 0.8W, 130MHz	JSCJ	7 741	1.23
		BCX71J.215			NXP
		BCX71J.215			NEX-NXP
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	VISHAY	28	44.15
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А		1 423	24.52
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	ST MICROELECTRONICS SEMI
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	Vishay/Siliconix
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	STMicroelectronics
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	КИТАЙ
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	IR/VISHAY
		IRF740		N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А	MINOS	1 775	28.13
		IRFBC40LC		Hexfet® power mosfet	VISHAY
		IRFBC40LC		Hexfet® power mosfet
		IRFBC40LC		Hexfet® power mosfet	Vishay/Siliconix
		STTH6002CW		Диод двойной сверхбыстродейств. 22ns 2x3	ST MICROELECTRONICS	540	263.26
		STTH6002CW		Диод двойной сверхбыстродейств. 22ns 2x3		1	405.72
		STTH6002CW		Диод двойной сверхбыстродейств. 22ns 2x3	STMicroelectronics

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"