|
|
Версия для печати
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4 mOhm @ 25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 65A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1030pF @ 15V |
| Power - Max | 65W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| Корпус | I-Pak |
|
IRLU8721PBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2X200MM PVC AWG22 R/B |
|
|
||||||
| BC337-40RL1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| BC337-40RL1G | ONS |
|
|
|||||
| BC337-40RL1G |
|
4.60 | ||||||
| BC337-40RL1G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| IRLU120NPBF |
|
МОП-Транзистор, N-кан, Vси=100В, Iс =11A, Rоткр=0.265Ом, I-Pak | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||
| IRLU120NPBF |
|
МОП-Транзистор, N-кан, Vси=100В, Iс =11A, Rоткр=0.265Ом, I-Pak |
|
48.00 | ||||
| IRLU120NPBF |
|
МОП-Транзистор, N-кан, Vси=100В, Iс =11A, Rоткр=0.265Ом, I-Pak | INFINEON | 16 | 45.02 | |||
| IRLU120NPBF |
|
МОП-Транзистор, N-кан, Vси=100В, Iс =11A, Rоткр=0.265Ом, I-Pak | INFINEON / IR |
|
|
|||
|
|
|
IRLZ24N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=18A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.06 ... | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRLZ24N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=18A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.06 ... |
|
56.40 | ||
|
|
|
IRLZ24N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=18A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.06 ... | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRLZ24N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=18A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.06 ... | INFINEON |
|
|
|
| PLS-20R (ШАГ 2.54 ММ) |
|
|