|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 11A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 480pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
|
IRLZ24N (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G6H212DC [TQ2-12V] |
|
Реле сигнальное сверхминитюрное DPDT 12VDC 1A/125VAC 14,3x9,3x6,6mm | OMRON |
|
|
|||
|
|
|
IRLZ34N |
|
Транзистор полевой | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRLZ34N |
|
Транзистор полевой | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
IRLZ34N |
|
Транзистор полевой | 7 | 74.00 | ||
|
|
|
IRLZ34N |
|
Транзистор полевой | PHILIPS | 232 |
|
|
|
|
|
IRLZ34N |
|
Транзистор полевой | INTERNATIONAL RECTIFIER | 22 |
|
|
|
|
|
IRLZ34N |
|
Транзистор полевой | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRLZ34N |
|
Транзистор полевой | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRLZ34N |
|
Транзистор полевой | EVVO | 361 | 17.05 | |
| PLS-20R (ШАГ 2.54 ММ) |
|
|
||||||
|
|
|
КТ808АМ |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный | 27 | 593.41 | ||
|
|
|
КТ808АМ |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный | КРИСТАЛЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ808АМ |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный | УЛЬЯНОВСК | 1 | 169.60 | |
|
|
|
КТ808АМ |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный | ФРЯЗИНО |
|
|
|
|
|
|
КТ808АМ |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный | 1 |
|
|
|
|
|
ПЛАТА МАКЕТНАЯ D3 |
|
608.00 | |||||
|
|
ПЛАТА МАКЕТНАЯ D3 | УДАЛЕНО |
|
|