IRLZ24N
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=18A@T=25C, Id=13A@T=100C, Rds=0.06 R@Vgs=10V, P=45W, -55 to +175C), логическое управление.
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 11A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 480pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRLZ24N (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CF-0.125-30 5% |
|
Резистор углеродистый | CHINA |
|
|
|||
| CF-0.125-30 5% |
|
Резистор углеродистый |
|
0.84 >500 шт. 0.28 |
||||
| G6H212DC [TQ2-12V] |
|
Реле сигнальное сверхминитюрное DPDT 12VDC 1A/125VAC 14,3x9,3x6,6mm | OMRON |
|
|
|||
| К514ИД1 | 2 | 462.50 | ||||||
| К514ИД1 | ДНЕПР |
|
|
|||||
| К514ИД1 | 2 | 462.50 | ||||||
| К514ИД1 | ОПТРОН |
|
|
|||||
 |
 |
КТ808АМ |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный | 27 | 548.10 | ||
|
|
|
КТ808АМ |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный | КРИСТАЛЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ808АМ |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный | УЛЬЯНОВСК | 1 | 168.00 | |
|
|
|
КТ808АМ |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный | ФРЯЗИНО |
|
|
|
| РП10-15 П-О РОЗЕТКА |
|
40.00 | ||||||
| РП10-15 П-О РОЗЕТКА | КОМ 5 |
|
|
|||||
| РП10-15 П-О РОЗЕТКА | СНЕЖЕТЬ |
|
|
|||||
| РП10-15 П-О РОЗЕТКА | РОССИЯ |
|
|
