IRLZ24N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRLZ24N		56.40

Версия для печати

Технические характеристики IRLZ24N

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	480pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLZ24N (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRLZ24N datasheet
180.6 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2X200MM PVC AWG22 R/B
ATTINY2313A-PU	Микроконтроллер 128 байт EEPROM, 2Кбайт flash, 128 х 8 бит SRAM, 20МГц	ATMEL
ATTINY2313A-PU	Микроконтроллер 128 байт EEPROM, 2Кбайт flash, 128 х 8 бит SRAM, 20МГц		2	462.50
ATTINY2313A-PU	Микроконтроллер 128 байт EEPROM, 2Кбайт flash, 128 х 8 бит SRAM, 20МГц	MICRO CHIP	1 187	258.30
ATTINY2313A-PU	Микроконтроллер 128 байт EEPROM, 2Кбайт flash, 128 х 8 бит SRAM, 20МГц	4-7 НЕДЕЛЬ	745
КТ808АМ	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный		27	593.41
КТ808АМ	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный	КРИСТАЛЛ
КТ808АМ	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный	УЛЬЯНОВСК	1	169.60
КТ808АМ	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный	ФРЯЗИНО
КТ808АМ	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный	1
МИКРОДРЕЛЬ ДПМ-25-Н1-04
РП10-22 П-О ВИЛКА			16	80.00