|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 11A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 480pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
|
IRLZ24N (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CF-0.125-910 5% |
|
Резистор углеродистый | CHINA |
|
|
|||
| CF-0.125-910 5% |
|
Резистор углеродистый |
|
1.32 >500 шт. 0.44 |
||||
| L-53SRC (5R3SCA-2) |
|
Единичный светодиод |
|
4.08 | ||||
| TLE2426CLP | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TLE2426CLP |
|
540.00 | ||||||
| TLE2426CLP | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TLE2426CLP | 4-7 НЕДЕЛЬ | 754 |
|
|||||
| ГАЙКА М3.0 (35ШТ.) |
|
76.00 | ||||||
| ГАЙКА М3.0 (35ШТ.) | УДАЛЕНО |
|
|
|||||
|
|
|
КТ808АМ |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный | 92 | 270.48 | ||
|
|
|
КТ808АМ |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный | КРИСТАЛЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ808АМ |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный | УЛЬЯНОВСК | 15 | 210.00 | |
|
|
|
КТ808АМ |
|
Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный | ФРЯЗИНО |
|
|