IRLZ24N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRLZ24N		56.40

Версия для печати

Технические характеристики IRLZ24N

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	480pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRLZ24N (MOSFET)

HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Производитель:
International Rectifier (IRF)

IRLZ24N datasheet
180.6 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CF-0.125-3.0K 5%	Резистор углеродистый	CHINA
CF-0.125-3.0K 5%	Резистор углеродистый			1.32 >500 шт. 0.44
КТ315Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ...		2 294	18.90
КТ315Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ...	МИНСК
КТ808АМ	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный		27	593.41
КТ808АМ	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный	КРИСТАЛЛ
КТ808АМ	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный	УЛЬЯНОВСК	1	169.60
КТ808АМ	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный	ФРЯЗИНО
КТ808АМ	Транзистор кремниевый мезапланарный структуры NPN переключательный	1
МИКРОДРЕЛЬ ДПМ-25-Н1-04
РП10-22 П-О ВИЛКА			16	80.00