|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP
|
1 036
|
2.10
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
400
|
4.91
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
81 845
|
1.90
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
|
93 627
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
WTE
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
33 980
|
1.91
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
14 586
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP
|
9 216
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
626
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DIODES INC.
|
1 126
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
80
|
1.45
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NEXPERIA
|
1 584
|
1.21
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
32 868
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
SEMTECH
|
5
|
2.34
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YJ
|
279 756
|
1.03
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
108 000
|
1.18
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YOUTAI
|
19 161
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
JSCJ
|
247 240
|
1.98
>100 шт. 0.99
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ASEMI
|
22 252
|
1.86
>100 шт. 0.93
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
39 712
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP(PHILIPS)
|
15 767
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
DC COMPONENTS
|
4 611
|
8.51
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
MI
|
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
|
28
|
22.20
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
MIC
|
8 343
|
4.17
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
YJ
|
37 584
|
3.65
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
KINGTRON
|
2 372
|
6.76
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
КИТАЙ
|
800
|
22.68
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
HOTTECH
|
32 576
|
4.46
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
TRR
|
2 400
|
2.09
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
RUME
|
10 800
|
2.38
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
KEEN SIDE
|
4 800
|
3.38
|
|
|
|
DB157S |
|
Мост 1.5А, 1000В, SMD
|
MERRYELC
|
16 600
|
3.30
|
|
|
|
IRLML6302TRPBF MOSFET P-CH 20V 780MA |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
233
|
10.50
|
|
|
|
LM1117T-3.3 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1117T-3.3 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1117T-3.3 |
|
|
|
|
86.68
|
|
|
|
LM1117T-3.3 |
|
|
NSC
|
8
|
291.06
|
|
|
|
LM1117T-3.3 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM1117T-3.3 |
|
|
ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
|
|
|
|
|
|
LM1117T-3.3 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM1117T-3.3 |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM1117T-3.3 |
|
|
NS
|
137
|
252.00
|
|
|
|
LM1117T-3.3 |
|
|
HGSEMI
|
702
|
23.27
|
|
|
|
LM1117T-3.3 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
327
|
|
|
|
|
MC33272ADR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC33272ADR2G |
|
|
|
4 028
|
30.47
|
|
|
|
MC33272ADR2G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MC33272ADR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
72
|
|
|
|
|
MC33272ADR2G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MC33272ADR2G |
|
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC33272ADR2G |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
574
|
|
|