| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
B32922C3104M |
|
Пленочный конденсатор - VAC: 305 В; 0.1 мкФ; ±20%; Polypropylene; ; Шаг: 15 мм
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
B32922C3104M |
|
Пленочный конденсатор - VAC: 305 В; 0.1 мкФ; ±20%; Polypropylene; ; Шаг: 15 мм
|
|
|
|
|
|
|
B32922C3104M |
|
Пленочный конденсатор - VAC: 305 В; 0.1 мкФ; ±20%; Polypropylene; ; Шаг: 15 мм
|
EPCOS Inc
|
|
|
|
|
|
B32922C3104M |
|
Пленочный конденсатор - VAC: 305 В; 0.1 мкФ; ±20%; Polypropylene; ; Шаг: 15 мм
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
B32922C3104M |
|
Пленочный конденсатор - VAC: 305 В; 0.1 мкФ; ±20%; Polypropylene; ; Шаг: 15 мм
|
EPCOS
|
|
|
|
|
|
B32922C3104M |
|
Пленочный конденсатор - VAC: 305 В; 0.1 мкФ; ±20%; Polypropylene; ; Шаг: 15 мм
|
EPCS
|
|
|
|
|
|
B32922C3104M |
|
Пленочный конденсатор - VAC: 305 В; 0.1 мкФ; ±20%; Polypropylene; ; Шаг: 15 мм
|
TDK EPCOS
|
|
|
|
|
|
B32922C3104M |
|
Пленочный конденсатор - VAC: 305 В; 0.1 мкФ; ±20%; Polypropylene; ; Шаг: 15 мм
|
TDK (EPCOS)
|
|
|
|
|
|
B32922C3104M |
|
Пленочный конденсатор - VAC: 305 В; 0.1 мкФ; ±20%; Polypropylene; ; Шаг: 15 мм
|
TDK-EPC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP
|
1 036
|
2.12
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
400
|
5.47
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
56 218
|
1.28
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
|
95 194
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
WTE
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
110 390
|
1.48
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
14 586
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP
|
9 216
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
626
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
DIODES INC.
|
1 126
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
80
|
1.50
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NEXPERIA
|
1 291
|
1.08
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
36 130
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
SEMTECH
|
5
|
2.22
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YJ
|
202 898
|
1.03
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
100 800
|
1.12
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YOUTAI
|
71 900
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
JSCJ
|
205 054
|
1.03
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ASEMI
|
4 764
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
38 236
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
NXP(PHILIPS)
|
10 007
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
ZITEK
|
16 800
|
1.70
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
1296
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
21000
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
HEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
1231
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
5891
|
|
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
RUME
|
36 000
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BAT54A |
|
2 диода Шоттки (общий анод, Vr=30V, If=0.3A, Ifsm=1A@t=10ms, Vf=0.32V@I=1mA, -65 to +150C)
|
TRR
|
120 000
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
DB-25M |
|
Вилка 25 pin на кабель (пайка)
|
|
428
|
64.75
|
|
|
|
DB-25M |
|
Вилка 25 pin на кабель (пайка)
|
BM
|
174
|
84.07
|
|
|
|
DB-25M |
|
Вилка 25 pin на кабель (пайка)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB-25M |
|
Вилка 25 pin на кабель (пайка)
|
NXU
|
|
|
|
|
|
DB-25M |
|
Вилка 25 pin на кабель (пайка)
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
DB-25M |
|
Вилка 25 pin на кабель (пайка)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
DB-25M |
|
Вилка 25 pin на кабель (пайка)
|
КИТАЙ
|
80
|
32.79
|
|
|
|
DB-25M |
|
Вилка 25 pin на кабель (пайка)
|
TWN
|
|
|
|
|
|
DB-25M |
|
Вилка 25 pin на кабель (пайка)
|
RUICHI
|
|
|
|
|
|
DB-25M |
|
Вилка 25 pin на кабель (пайка)
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
DB157 |
|
Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)
|
DC COMPONENTS
|
4 977
|
6.08
|
|
|
|
DB157 |
|
Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)
|
|
209
|
22.20
|
|
|
|
DB157 |
|
Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
DB157 |
|
Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB157 |
|
Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)
|
КИТАЙ
|
80
|
24.20
|
|
|
|
DB157 |
|
Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)
|
YJ
|
7 745
|
2.73
|
|
|
|
DB157 |
|
Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
DB157 |
|
Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)
|
HOTTECH
|
2 599
|
4.22
|
|
|
|
DB157 |
|
Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)
|
SUNTAN
|
7 848
|
9.73
|
|
|
|
DB157 |
|
Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)
|
WUXI XUYANG
|
825
|
12.75
|
|
|
|
DB157 |
|
Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
DB157 |
|
Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
DB157 |
|
Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
DB157 |
|
Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)
|
LGE
|
12 320
|
3.98
|
|
|
|
DB157 |
|
Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
DB157 |
|
Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)
|
KEEN SIDE
|
3 488
|
2.21
|
|
|
|
DB157 |
|
Диодный мост 1,5A 1000V(RRM)
|
1499
|
|
|
|
|
|
КР142ЕН18А |
|
Регулируемые стабилизаторы напряжения отрицательной полярности с выходным напряжением ...
|
|
80
|
20.40
|
|
|
|
КР142ЕН18А |
|
Регулируемые стабилизаторы напряжения отрицательной полярности с выходным напряжением ...
|
КРЕМНИЙ
|
315
|
82.28
|
|
|
|
КР142ЕН18А |
|
Регулируемые стабилизаторы напряжения отрицательной полярности с выходным напряжением ...
|
БРЯНСК
|
1 320
|
42.40
|
|
|
|
КР142ЕН18А |
|
Регулируемые стабилизаторы напряжения отрицательной полярности с выходным напряжением ...
|
ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
КР142ЕН18А |
|
Регулируемые стабилизаторы напряжения отрицательной полярности с выходным напряжением ...
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КР142ЕН18А |
|
Регулируемые стабилизаторы напряжения отрицательной полярности с выходным напряжением ...
|
1273
|
|
|
|
|
|
КР142ЕН18А |
|
Регулируемые стабилизаторы напряжения отрицательной полярности с выходным напряжением ...
|
5
|
|
|
|
|
|
КР142ЕН18А |
|
Регулируемые стабилизаторы напряжения отрицательной полярности с выходным напряжением ...
|
624
|
|
|
|