MBR140SFT1G
|
|
Версия для печати
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 1A |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500µA @ 40V |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOD-123F |
| Корпус | SOD-123L |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
LQM18FN100M00D |
|
Murata Electronics North America |
|
|
||
|
|
|
LQM18FN100M00D |
|
MUR | 358 216 | 3.23 | ||
|
|
|
LQM18FN100M00D |
|
|
|
|||
|
|
|
LQM18FN100M00D |
|
MURATA | 830 | 8.78 | ||
| NFM18PS105R0J3D | MURATA | 107 | 5.17 | |||||
| NFM18PS105R0J3D | MURATA |
|
|
|||||
| NFM18PS105R0J3D | Murata Electronics North America |
|
|
|||||
| NFM18PS105R0J3D | MUR | 13 783 | 3.03 | |||||
| NFM18PS105R0J3D |
|
|
||||||
| SIS412DN-T1-GE3 |
|
51.48 | ||||||
| SIS412DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix |
|
|
|||||
| SIS412DN-T1-GE3 | SILICONIX |
|
|
|||||
| SIS412DN-T1-GE3 | VISHAY |
|
|
|||||
| TLV431ASNT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| TLV431ASNT1G | ONS |
|
|
|||||
| TLV431ASNT1G | ON SEMICONDUCTOR | 1 834 |
|
|||||
| TLV431ASNT1G |
|
|
||||||
| TLV431ASNT1G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 283 |
|
|||||
| VS-30BQ100-M3/9AT | VISHAY | 37 869 | 42.08 | |||||
| VS-30BQ100-M3/9AT | 6 160 | 17.02 | ||||||
| VS-30BQ100-M3/9AT | VISHAY IR | 1 | 118.84 |
