TPS2552DBVT
|
IC PWR DIST SWITCH ADJ SOT23-6 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип | High Side Switch |
| Число выходов | 1 |
| Rds (On) | 95 mOhm |
| Внутренняя коммутация | Да |
| Ограничение по току | Adjustable |
| Напряжение входное | 2.5 V ~ 6.5 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOT-23-6 |
| Корпус | SOT-23-6 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BAS 116 JVP | NXP |
|
|
|||||
| CWF- 3R | NXU |
|
|
|||||
| NFM18PS105R0J3D | MURATA | 99 | 8.27 | |||||
| NFM18PS105R0J3D | MURATA |
|
|
|||||
| NFM18PS105R0J3D | Murata Electronics North America |
|
|
|||||
| NFM18PS105R0J3D | MUR | 39 868 | 5.13 | |||||
| NFM18PS105R0J3D |
|
|
||||||
| SIS412DN-T1-GE3 |
|
51.48 | ||||||
| SIS412DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix |
|
|
|||||
| SIS412DN-T1-GE3 | SILICONIX |
|
|
|||||
| SIS412DN-T1-GE3 | VISHAY | 1 944 | 33.84 | |||||
| TLV431ASNT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| TLV431ASNT1G | ONS |
|
|
|||||
| TLV431ASNT1G | ON SEMICONDUCTOR | 1 834 |
|
|||||
| TLV431ASNT1G |
|
|
||||||
| TLV431ASNT1G | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
