| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
74HC123D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Одновибратор с повторным запуском х 2
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
74HC123D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Одновибратор с повторным запуском х 2
|
PHILIPS
|
801
|
45.29
|
|
|
|
|
74HC123D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Одновибратор с повторным запуском х 2
|
|
1 897
|
22.32
|
|
|
|
|
74HC123D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Одновибратор с повторным запуском х 2
|
NXP
|
8 116
|
13.02
|
|
|
|
|
74HC123D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Одновибратор с повторным запуском х 2
|
NXP
|
1 522
|
|
|
|
|
|
74HC123D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Одновибратор с повторным запуском х 2
|
PHILIPS
|
122
|
|
|
|
|
|
74HC123D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Одновибратор с повторным запуском х 2
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
74HC123D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Одновибратор с повторным запуском х 2
|
NEXPERIA
|
1
|
26.02
|
|
|
|
|
74HC123D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Одновибратор с повторным запуском х 2
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
|
74HC123D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Одновибратор с повторным запуском х 2
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
74HC123D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Одновибратор с повторным запуском х 2
|
1
|
|
|
|
|
|
|
74HC123D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Одновибратор с повторным запуском х 2
|
TOS
|
108
|
59.50
|
|
|
|
|
74HC123D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Одновибратор с повторным запуском х 2
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
|
74HC123D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Одновибратор с повторным запуском х 2
|
10150
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
MCC
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
|
13 972
|
1.32
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
WTE
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
MIC
|
18 477
|
3.19
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
SUNTAN
|
964
|
2.63
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KLS
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YJ
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
CTK
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KOME
|
2 368
|
2.51
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KEEN SIDE
|
16 000
|
1.19
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
RUME
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
2694
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
2692
|
|
|
|
|
|
|
IR2213S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 310нс, Uсм=1200В, Uвых=10/20В, Iвых=1.7
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IR2213S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 310нс, Uсм=1200В, Uвых=10/20В, Iвых=1.7
|
|
|
837.88
|
|
|
|
|
IR2213S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 310нс, Uсм=1200В, Uвых=10/20В, Iвых=1.7
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IR2213S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 310нс, Uсм=1200В, Uвых=10/20В, Iвых=1.7
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IR2213S |
|
Драйверы верхнего и нижнего ключей. Тс = 310нс, Uсм=1200В, Uвых=10/20В, Iвых=1.7
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
VISHAY
|
4
|
22.48
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
|
794
|
55.20
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
MINOS
|
3 320
|
38.35
|
|
|
|
IRF740 |
|
N-канальный полевой транзистор 400В, 125Вт, 10А
|
5
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
800
|
81.20
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
|
11
|
79.98
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
DMS
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
24
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
MINOS
|
|
|
|
|
|
IRFZ44N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...
|
EVVO
|
5 915
|
27.53
|
|